CP647-MJ11013-WS
Số Phần:
CP647-MJ11013-WS
nhà chế tạo:
Central Semiconductor
Sự miêu tả:
TRANS PNP DARL 30A 90V DIE
Tình trạng Miễn phí Tình trạng / Tình trạng RoHS:
Chứa chì / RoHS không tuân thủ
Số lượng có sẵn:
17112 Pieces
Bảng dữliệu:
CP647-MJ11013-WS.pdf

Giới thiệu

BYCHIPS là nhà phân phối cho CP647-MJ11013-WS, chúng tôi có các cổ phiếu cho vận chuyển ngay lập tức và cũng có sẵn để cung cấp thời gian dài. Vui lòng gửi cho chúng tôi gói mua hàng của bạn cho CP647-MJ11013-WS qua email, chúng tôi sẽ cung cấp cho bạn một mức giá tốt nhất theo kế hoạch của bạn.
Mua CP647-MJ11013-WS với BYCHPS
Mua với đảm bảo

Thông số kỹ thuật

Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max):90V
VCE Saturation (Max) @ Ib, Ic:4V @ 300mA, 30A
Loại bóng bán dẫn:PNP - Darlington
Gói thiết bị nhà cung cấp:Die
Loạt:-
Power - Max:-
Bao bì:Bulk
Gói / Case:Die
Nhiệt độ hoạt động:-65°C ~ 150°C (TJ)
gắn Loại:Surface Mount
Mức độ nhạy ẩm (MSL):1 (Unlimited)
Số phần của nhà sản xuất:CP647-MJ11013-WS
Tần số - Transition:-
Mô tả mở rộng:Bipolar (BJT) Transistor PNP - Darlington 90V 30A Surface Mount Die
Sự miêu tả:TRANS PNP DARL 30A 90V DIE
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, VCE:200 @ 30A, 5V
Hiện tại - Collector Cutoff (Max):1mA
Hiện tại - Collector (Ic) (Max):30A
Email:[email protected]

Nhanh Tìm Quote

Số Phần
Số lượng
Công ty
E-mail
Điện thoại
Bình luận