CPMF-1200-S160B
Số Phần:
CPMF-1200-S160B
nhà chế tạo:
Cree
Sự miêu tả:
MOSFET N-CH SICFET 1200V 28A DIE
Tình trạng Miễn phí Tình trạng / Tình trạng RoHS:
Không có chì / tuân thủ RoHS
Số lượng có sẵn:
19835 Pieces
Bảng dữliệu:
CPMF-1200-S160B.pdf

Giới thiệu

BYCHIPS là nhà phân phối cho CPMF-1200-S160B, chúng tôi có các cổ phiếu cho vận chuyển ngay lập tức và cũng có sẵn để cung cấp thời gian dài. Vui lòng gửi cho chúng tôi gói mua hàng của bạn cho CPMF-1200-S160B qua email, chúng tôi sẽ cung cấp cho bạn một mức giá tốt nhất theo kế hoạch của bạn.
Mua CPMF-1200-S160B với BYCHPS
Mua với đảm bảo

Thông số kỹ thuật

VGS (th) (Max) @ Id:4V @ 1mA
Vgs (Tối đa):+25V, -5V
Công nghệ:SiCFET (Silicon Carbide)
Gói thiết bị nhà cung cấp:Die
Loạt:Z-FET™
Rds On (Max) @ Id, VGS:220 mOhm @ 10A, 20V
Điện cực phân tán (Max):202W (Tj)
Bao bì:Bulk
Gói / Case:Die
Nhiệt độ hoạt động:-55°C ~ 150°C (TJ)
gắn Loại:Surface Mount
Mức độ nhạy ẩm (MSL):1 (Unlimited)
Số phần của nhà sản xuất:CPMF-1200-S160B
Điện dung đầu vào (Ciss) (Max) @ Vds:928pF @ 800V
Phím cổng (Qg) (Max) @ Vgs:47.1nC @ 20V
Loại FET:N-Channel
FET Feature:-
Mô tả mở rộng:N-Channel 1200V (1.2kV) 28A (Tj) 202W (Tj) Surface Mount Die
Điện thế ổ đĩa (Max Rds On, Min Rds On):20V
Xả để nguồn điện áp (Vdss):1200V (1.2kV)
Sự miêu tả:MOSFET N-CH SICFET 1200V 28A DIE
Hiện tại - Drain liên tục (Id) @ 25 ° C:28A (Tj)
Email:[email protected]

Nhanh Tìm Quote

Số Phần
Số lượng
Công ty
E-mail
Điện thoại
Bình luận