DDTA114GE-7-F
DDTA114GE-7-F
Số Phần:
DDTA114GE-7-F
nhà chế tạo:
Diodes Incorporated
Sự miêu tả:
TRANS PREBIAS PNP 150MW SOT523
Tình trạng Miễn phí Tình trạng / Tình trạng RoHS:
Không có chì / tuân thủ RoHS
Số lượng có sẵn:
16342 Pieces
Bảng dữliệu:
DDTA114GE-7-F.pdf

Giới thiệu

BYCHIPS là nhà phân phối cho DDTA114GE-7-F, chúng tôi có các cổ phiếu cho vận chuyển ngay lập tức và cũng có sẵn để cung cấp thời gian dài. Vui lòng gửi cho chúng tôi gói mua hàng của bạn cho DDTA114GE-7-F qua email, chúng tôi sẽ cung cấp cho bạn một mức giá tốt nhất theo kế hoạch của bạn.
Mua DDTA114GE-7-F với BYCHPS
Mua với đảm bảo

Thông số kỹ thuật

Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max):50V
VCE Saturation (Max) @ Ib, Ic:300mV @ 500µA, 10mA
Loại bóng bán dẫn:PNP - Pre-Biased
Gói thiết bị nhà cung cấp:SOT-523
Loạt:-
Điện trở - Emitter Base (R2) (Ohms):10k
Điện trở - Base (R1) (Ohms):-
Power - Max:150mW
Bao bì:Tape & Reel (TR)
Gói / Case:SOT-523
gắn Loại:Surface Mount
Mức độ nhạy ẩm (MSL):1 (Unlimited)
Thời gian chuẩn của nhà sản xuất:16 Weeks
Số phần của nhà sản xuất:DDTA114GE-7-F
Tần số - Transition:250MHz
Mô tả mở rộng:Pre-Biased Bipolar Transistor (BJT) PNP - Pre-Biased 50V 100mA 250MHz 150mW Surface Mount SOT-523
Sự miêu tả:TRANS PREBIAS PNP 150MW SOT523
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, VCE:30 @ 5mA, 5V
Hiện tại - Collector Cutoff (Max):500nA (ICBO)
Hiện tại - Collector (Ic) (Max):100mA
Email:[email protected]

Nhanh Tìm Quote

Số Phần
Số lượng
Công ty
E-mail
Điện thoại
Bình luận