DDTC115GE-7
DDTC115GE-7
Số Phần:
DDTC115GE-7
nhà chế tạo:
Diodes Incorporated
Sự miêu tả:
TRANS PREBIAS NPN 150MW SOT523
Tình trạng Miễn phí Tình trạng / Tình trạng RoHS:
Chứa chì / RoHS không tuân thủ
Số lượng có sẵn:
14752 Pieces
Bảng dữliệu:
DDTC115GE-7.pdf

Giới thiệu

BYCHIPS là nhà phân phối cho DDTC115GE-7, chúng tôi có các cổ phiếu cho vận chuyển ngay lập tức và cũng có sẵn để cung cấp thời gian dài. Vui lòng gửi cho chúng tôi gói mua hàng của bạn cho DDTC115GE-7 qua email, chúng tôi sẽ cung cấp cho bạn một mức giá tốt nhất theo kế hoạch của bạn.
Mua DDTC115GE-7 với BYCHPS
Mua với đảm bảo

Thông số kỹ thuật

Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max):50V
VCE Saturation (Max) @ Ib, Ic:300mV @ 500µA, 10mA
Loại bóng bán dẫn:NPN - Pre-Biased
Gói thiết bị nhà cung cấp:SOT-523
Loạt:-
Điện trở - Emitter Base (R2) (Ohms):100k
Điện trở - Base (R1) (Ohms):-
Power - Max:150mW
Bao bì:Tape & Reel (TR)
Gói / Case:SOT-523
Vài cái tên khác:DDTC115GE7
gắn Loại:Surface Mount
Số phần của nhà sản xuất:DDTC115GE-7
Tần số - Transition:250MHz
Mô tả mở rộng:Pre-Biased Bipolar Transistor (BJT) NPN - Pre-Biased 50V 100mA 250MHz 150mW Surface Mount SOT-523
Sự miêu tả:TRANS PREBIAS NPN 150MW SOT523
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, VCE:82 @ 5mA, 5V
Hiện tại - Collector Cutoff (Max):500nA (ICBO)
Hiện tại - Collector (Ic) (Max):100mA
Email:[email protected]

Nhanh Tìm Quote

Số Phần
Số lượng
Công ty
E-mail
Điện thoại
Bình luận