DMG9N65CTI
DMG9N65CTI
Số Phần:
DMG9N65CTI
nhà chế tạo:
Diodes Incorporated
Sự miêu tả:
MOSFET N CH 650V 9A ITO-220AB
Tình trạng Miễn phí Tình trạng / Tình trạng RoHS:
Không có chì / tuân thủ RoHS
Số lượng có sẵn:
18234 Pieces
Bảng dữliệu:
DMG9N65CTI.pdf

Giới thiệu

BYCHIPS là nhà phân phối cho DMG9N65CTI, chúng tôi có các cổ phiếu cho vận chuyển ngay lập tức và cũng có sẵn để cung cấp thời gian dài. Vui lòng gửi cho chúng tôi gói mua hàng của bạn cho DMG9N65CTI qua email, chúng tôi sẽ cung cấp cho bạn một mức giá tốt nhất theo kế hoạch của bạn.
Mua DMG9N65CTI với BYCHPS
Mua với đảm bảo

Thông số kỹ thuật

VGS (th) (Max) @ Id:5V @ 250µA
Vgs (Tối đa):±30V
Công nghệ:MOSFET (Metal Oxide)
Gói thiết bị nhà cung cấp:ITO-220AB
Loạt:-
Rds On (Max) @ Id, VGS:1.3 Ohm @ 4.5A, 10V
Điện cực phân tán (Max):13W (Tc)
Bao bì:Tube
Gói / Case:TO-220-3 Full Pack, Isolated Tab
Vài cái tên khác:DMG9N65CTIDI
Nhiệt độ hoạt động:-55°C ~ 150°C (TJ)
gắn Loại:Through Hole
Mức độ nhạy ẩm (MSL):1 (Unlimited)
Thời gian chuẩn của nhà sản xuất:8 Weeks
Số phần của nhà sản xuất:DMG9N65CTI
Điện dung đầu vào (Ciss) (Max) @ Vds:2310pF @ 25V
Phím cổng (Qg) (Max) @ Vgs:39nC @ 10V
Loại FET:N-Channel
FET Feature:-
Mô tả mở rộng:N-Channel 650V 9A (Tc) 13W (Tc) Through Hole ITO-220AB
Điện thế ổ đĩa (Max Rds On, Min Rds On):10V
Xả để nguồn điện áp (Vdss):650V
Sự miêu tả:MOSFET N CH 650V 9A ITO-220AB
Hiện tại - Drain liên tục (Id) @ 25 ° C:9A (Tc)
Email:[email protected]

Nhanh Tìm Quote

Số Phần
Số lượng
Công ty
E-mail
Điện thoại
Bình luận