DMN4800LSS-13
DMN4800LSS-13
Số Phần:
DMN4800LSS-13
nhà chế tạo:
Diodes Incorporated
Sự miêu tả:
MOSFET N-CH 30V 9A 8SOP
Tình trạng Miễn phí Tình trạng / Tình trạng RoHS:
Không có chì / tuân thủ RoHS
Số lượng có sẵn:
19912 Pieces
Bảng dữliệu:
DMN4800LSS-13.pdf

Giới thiệu

BYCHIPS là nhà phân phối cho DMN4800LSS-13, chúng tôi có các cổ phiếu cho vận chuyển ngay lập tức và cũng có sẵn để cung cấp thời gian dài. Vui lòng gửi cho chúng tôi gói mua hàng của bạn cho DMN4800LSS-13 qua email, chúng tôi sẽ cung cấp cho bạn một mức giá tốt nhất theo kế hoạch của bạn.
Mua DMN4800LSS-13 với BYCHPS
Mua với đảm bảo

Thông số kỹ thuật

VGS (th) (Max) @ Id:1.6V @ 250µA
Vgs (Tối đa):±25V
Công nghệ:MOSFET (Metal Oxide)
Gói thiết bị nhà cung cấp:8-SOP
Loạt:-
Rds On (Max) @ Id, VGS:16 mOhm @ 9A, 10V
Điện cực phân tán (Max):1.46W (Ta)
Bao bì:Tape & Reel (TR)
Gói / Case:8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Vài cái tên khác:DMN4800LSS13
DMN4800LSSDITR
Nhiệt độ hoạt động:-55°C ~ 150°C (TJ)
gắn Loại:Surface Mount
Mức độ nhạy ẩm (MSL):1 (Unlimited)
Thời gian chuẩn của nhà sản xuất:16 Weeks
Số phần của nhà sản xuất:DMN4800LSS-13
Điện dung đầu vào (Ciss) (Max) @ Vds:798pF @ 10V
Phím cổng (Qg) (Max) @ Vgs:9.47nC @ 5V
Loại FET:N-Channel
FET Feature:-
Mô tả mở rộng:N-Channel 30V 9A (Ta) 1.46W (Ta) Surface Mount 8-SOP
Điện thế ổ đĩa (Max Rds On, Min Rds On):4.5V, 10V
Xả để nguồn điện áp (Vdss):30V
Sự miêu tả:MOSFET N-CH 30V 9A 8SOP
Hiện tại - Drain liên tục (Id) @ 25 ° C:9A (Ta)
Email:[email protected]

Nhanh Tìm Quote

Số Phần
Số lượng
Công ty
E-mail
Điện thoại
Bình luận