DMN61D9UDW-13
DMN61D9UDW-13
Số Phần:
DMN61D9UDW-13
nhà chế tạo:
Diodes Incorporated
Sự miêu tả:
MOSFET 2N-CH 60V 0.35A SOT363
Tình trạng Miễn phí Tình trạng / Tình trạng RoHS:
Không có chì / tuân thủ RoHS
Số lượng có sẵn:
12817 Pieces
Bảng dữliệu:
DMN61D9UDW-13.pdf

Giới thiệu

BYCHIPS là nhà phân phối cho DMN61D9UDW-13, chúng tôi có các cổ phiếu cho vận chuyển ngay lập tức và cũng có sẵn để cung cấp thời gian dài. Vui lòng gửi cho chúng tôi gói mua hàng của bạn cho DMN61D9UDW-13 qua email, chúng tôi sẽ cung cấp cho bạn một mức giá tốt nhất theo kế hoạch của bạn.
Mua DMN61D9UDW-13 với BYCHPS
Mua với đảm bảo

Thông số kỹ thuật

VGS (th) (Max) @ Id:1V @ 250µA
Gói thiết bị nhà cung cấp:SOT-363
Loạt:-
Rds On (Max) @ Id, VGS:2 Ohm @ 50mA, 5V
Power - Max:320mW
Bao bì:Tape & Reel (TR)
Gói / Case:6-TSSOP, SC-88, SOT-363
Vài cái tên khác:DMN61D9UDW-13DI
Nhiệt độ hoạt động:-55°C ~ 150°C (TJ)
gắn Loại:Surface Mount
Mức độ nhạy ẩm (MSL):1 (Unlimited)
Thời gian chuẩn của nhà sản xuất:8 Weeks
Số phần của nhà sản xuất:DMN61D9UDW-13
Điện dung đầu vào (Ciss) (Max) @ Vds:28.5pF @ 30V
Phím cổng (Qg) (Max) @ Vgs:0.4nC @ 4.5V
Loại FET:2 N-Channel (Dual)
FET Feature:Standard
Mô tả mở rộng:Mosfet Array 2 N-Channel (Dual) 60V 350mA 320mW Surface Mount SOT-363
Xả để nguồn điện áp (Vdss):60V
Sự miêu tả:MOSFET 2N-CH 60V 0.35A SOT363
Hiện tại - Drain liên tục (Id) @ 25 ° C:350mA
Email:[email protected]

Nhanh Tìm Quote

Số Phần
Số lượng
Công ty
E-mail
Điện thoại
Bình luận