DMN62D0SFD-7
DMN62D0SFD-7
Số Phần:
DMN62D0SFD-7
nhà chế tạo:
Diodes Incorporated
Sự miêu tả:
MOSFET N-CH 60V 540MA 3-DFN
Tình trạng Miễn phí Tình trạng / Tình trạng RoHS:
Không có chì / tuân thủ RoHS
Số lượng có sẵn:
15177 Pieces
Bảng dữliệu:
DMN62D0SFD-7.pdf

Giới thiệu

BYCHIPS là nhà phân phối cho DMN62D0SFD-7, chúng tôi có các cổ phiếu cho vận chuyển ngay lập tức và cũng có sẵn để cung cấp thời gian dài. Vui lòng gửi cho chúng tôi gói mua hàng của bạn cho DMN62D0SFD-7 qua email, chúng tôi sẽ cung cấp cho bạn một mức giá tốt nhất theo kế hoạch của bạn.
Mua DMN62D0SFD-7 với BYCHPS
Mua với đảm bảo

Thông số kỹ thuật

VGS (th) (Max) @ Id:2.5V @ 1mA
Vgs (Tối đa):±20V
Công nghệ:MOSFET (Metal Oxide)
Gói thiết bị nhà cung cấp:X1-DFN1212-3
Loạt:-
Rds On (Max) @ Id, VGS:2 Ohm @ 500mA, 10V
Điện cực phân tán (Max):430mW (Ta)
Bao bì:Tape & Reel (TR)
Gói / Case:3-UDFN
Vài cái tên khác:DMN62D0SFD-7DITR
DMN62D0SFD7
Nhiệt độ hoạt động:-55°C ~ 150°C (TJ)
gắn Loại:Surface Mount
Mức độ nhạy ẩm (MSL):1 (Unlimited)
Thời gian chuẩn của nhà sản xuất:16 Weeks
Số phần của nhà sản xuất:DMN62D0SFD-7
Điện dung đầu vào (Ciss) (Max) @ Vds:30.2pF @ 25V
Phím cổng (Qg) (Max) @ Vgs:0.87nC @ 10V
Loại FET:N-Channel
FET Feature:-
Mô tả mở rộng:N-Channel 60V 540mA (Ta) 430mW (Ta) Surface Mount X1-DFN1212-3
Điện thế ổ đĩa (Max Rds On, Min Rds On):5V, 10V
Xả để nguồn điện áp (Vdss):60V
Sự miêu tả:MOSFET N-CH 60V 540MA 3-DFN
Hiện tại - Drain liên tục (Id) @ 25 ° C:540mA (Ta)
Email:[email protected]

Nhanh Tìm Quote

Số Phần
Số lượng
Công ty
E-mail
Điện thoại
Bình luận