DMT10H010LK3-13
Số Phần:
DMT10H010LK3-13
nhà chế tạo:
Diodes Incorporated
Sự miêu tả:
MOSFET N-CH 100V 68.8A TO252-3
Số lượng có sẵn:
16838 Pieces
Bảng dữliệu:
DMT10H010LK3-13.pdf

Giới thiệu

BYCHIPS là nhà phân phối cho DMT10H010LK3-13, chúng tôi có các cổ phiếu cho vận chuyển ngay lập tức và cũng có sẵn để cung cấp thời gian dài. Vui lòng gửi cho chúng tôi gói mua hàng của bạn cho DMT10H010LK3-13 qua email, chúng tôi sẽ cung cấp cho bạn một mức giá tốt nhất theo kế hoạch của bạn.
Mua DMT10H010LK3-13 với BYCHPS
Mua với đảm bảo

Thông số kỹ thuật

VGS (th) (Max) @ Id:3V @ 250µA
Vgs (Tối đa):±20V
Công nghệ:MOSFET (Metal Oxide)
Gói thiết bị nhà cung cấp:TO-252, (D-Pak)
Loạt:-
Rds On (Max) @ Id, VGS:8.8 mOhm @ 13A, 10V
Điện cực phân tán (Max):3W (Ta)
Bao bì:Tape & Reel (TR)
Gói / Case:TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Vài cái tên khác:DMT10H010LK3-13DITR
Nhiệt độ hoạt động:-55°C ~ 150°C (TJ)
gắn Loại:Surface Mount
Mức độ nhạy ẩm (MSL):1 (Unlimited)
Thời gian chuẩn của nhà sản xuất:8 Weeks
Số phần của nhà sản xuất:DMT10H010LK3-13
Điện dung đầu vào (Ciss) (Max) @ Vds:2592pF @ 50V
Phím cổng (Qg) (Max) @ Vgs:53.7nC @ 10V
Loại FET:N-Channel
FET Feature:-
Mô tả mở rộng:N-Channel 100V 68.8A (Tc) 3W (Ta) Surface Mount TO-252, (D-Pak)
Điện thế ổ đĩa (Max Rds On, Min Rds On):6V, 10V
Xả để nguồn điện áp (Vdss):100V
Sự miêu tả:MOSFET N-CH 100V 68.8A TO252-3
Hiện tại - Drain liên tục (Id) @ 25 ° C:68.8A (Tc)
Email:[email protected]

Nhanh Tìm Quote

Số Phần
Số lượng
Công ty
E-mail
Điện thoại
Bình luận