DN0150ALP4-7B
DN0150ALP4-7B
Số Phần:
DN0150ALP4-7B
nhà chế tạo:
Diodes Incorporated
Sự miêu tả:
TRANS NPN 50V 0.1A DFN1006H4-3
Tình trạng Miễn phí Tình trạng / Tình trạng RoHS:
Không có chì / tuân thủ RoHS
Số lượng có sẵn:
18359 Pieces
Bảng dữliệu:
DN0150ALP4-7B.pdf

Giới thiệu

BYCHIPS là nhà phân phối cho DN0150ALP4-7B, chúng tôi có các cổ phiếu cho vận chuyển ngay lập tức và cũng có sẵn để cung cấp thời gian dài. Vui lòng gửi cho chúng tôi gói mua hàng của bạn cho DN0150ALP4-7B qua email, chúng tôi sẽ cung cấp cho bạn một mức giá tốt nhất theo kế hoạch của bạn.
Mua DN0150ALP4-7B với BYCHPS
Mua với đảm bảo

Thông số kỹ thuật

Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max):50V
VCE Saturation (Max) @ Ib, Ic:250mV @ 10mA, 100mA
Loại bóng bán dẫn:NPN
Gói thiết bị nhà cung cấp:X2-DFN1006-3
Loạt:-
Power - Max:450mW
Bao bì:Tape & Reel (TR)
Gói / Case:3-XFDFN
Vài cái tên khác:DN0150ALP4-7BDITR
DN0150ALP47B
Nhiệt độ hoạt động:-55°C ~ 150°C (TJ)
gắn Loại:Surface Mount
Mức độ nhạy ẩm (MSL):1 (Unlimited)
Thời gian chuẩn của nhà sản xuất:16 Weeks
Số phần của nhà sản xuất:DN0150ALP4-7B
Tần số - Transition:60MHz
Mô tả mở rộng:Bipolar (BJT) Transistor NPN 50V 100mA 60MHz 450mW Surface Mount X2-DFN1006-3
Sự miêu tả:TRANS NPN 50V 0.1A DFN1006H4-3
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, VCE:120 @ 2mA, 6V
Hiện tại - Collector Cutoff (Max):100nA (ICBO)
Hiện tại - Collector (Ic) (Max):100mA
Email:[email protected]

Nhanh Tìm Quote

Số Phần
Số lượng
Công ty
E-mail
Điện thoại
Bình luận