DRA9123J0L
DRA9123J0L
Số Phần:
DRA9123J0L
nhà chế tạo:
Panasonic
Sự miêu tả:
TRANS PREBIAS PNP 125MW SSMINI3
Tình trạng Miễn phí Tình trạng / Tình trạng RoHS:
Không có chì / tuân thủ RoHS
Số lượng có sẵn:
14231 Pieces
Bảng dữliệu:
DRA9123J0L.pdf

Giới thiệu

BYCHIPS là nhà phân phối cho DRA9123J0L, chúng tôi có các cổ phiếu cho vận chuyển ngay lập tức và cũng có sẵn để cung cấp thời gian dài. Vui lòng gửi cho chúng tôi gói mua hàng của bạn cho DRA9123J0L qua email, chúng tôi sẽ cung cấp cho bạn một mức giá tốt nhất theo kế hoạch của bạn.
Mua DRA9123J0L với BYCHPS
Mua với đảm bảo

Thông số kỹ thuật

Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max):50V
VCE Saturation (Max) @ Ib, Ic:250mV @ 500µA, 10mA
Loại bóng bán dẫn:PNP - Pre-Biased
Gói thiết bị nhà cung cấp:SSMini3-F3-B
Loạt:-
Điện trở - Emitter Base (R2) (Ohms):47k
Điện trở - Base (R1) (Ohms):2.2k
Power - Max:125mW
Bao bì:Tape & Reel (TR)
Gói / Case:SC-89, SOT-490
Vài cái tên khác:DRA9123J0L-ND
DRA9123J0LTR
gắn Loại:Surface Mount
Mức độ nhạy ẩm (MSL):1 (Unlimited)
Thời gian chuẩn của nhà sản xuất:10 Weeks
Số phần của nhà sản xuất:DRA9123J0L
Tần số - Transition:-
Mô tả mở rộng:Pre-Biased Bipolar Transistor (BJT) PNP - Pre-Biased 50V 100mA 125mW Surface Mount SSMini3-F3-B
Sự miêu tả:TRANS PREBIAS PNP 125MW SSMINI3
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, VCE:80 @ 5mA, 10V
Hiện tại - Collector Cutoff (Max):500nA
Hiện tại - Collector (Ic) (Max):100mA
Email:[email protected]

Nhanh Tìm Quote

Số Phần
Số lượng
Công ty
E-mail
Điện thoại
Bình luận