DTA143ESATP
DTA143ESATP
Số Phần:
DTA143ESATP
nhà chế tạo:
LAPIS Semiconductor
Sự miêu tả:
TRANS PREBIAS PNP 300MW SPT
Tình trạng Miễn phí Tình trạng / Tình trạng RoHS:
Không có chì / tuân thủ RoHS
Số lượng có sẵn:
18739 Pieces
Bảng dữliệu:
DTA143ESATP.pdf

Giới thiệu

BYCHIPS là nhà phân phối cho DTA143ESATP, chúng tôi có các cổ phiếu cho vận chuyển ngay lập tức và cũng có sẵn để cung cấp thời gian dài. Vui lòng gửi cho chúng tôi gói mua hàng của bạn cho DTA143ESATP qua email, chúng tôi sẽ cung cấp cho bạn một mức giá tốt nhất theo kế hoạch của bạn.
Mua DTA143ESATP với BYCHPS
Mua với đảm bảo

Thông số kỹ thuật

Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max):50V
VCE Saturation (Max) @ Ib, Ic:300mV @ 500µA, 10mA
Loại bóng bán dẫn:PNP - Pre-Biased
Gói thiết bị nhà cung cấp:SPT
Loạt:-
Điện trở - Emitter Base (R2) (Ohms):4.7k
Điện trở - Base (R1) (Ohms):4.7k
Power - Max:300mW
Bao bì:Tape & Box (TB)
Gói / Case:SC-72 Formed Leads
gắn Loại:Through Hole
Mức độ nhạy ẩm (MSL):1 (Unlimited)
Số phần của nhà sản xuất:DTA143ESATP
Tần số - Transition:250MHz
Mô tả mở rộng:Pre-Biased Bipolar Transistor (BJT) PNP - Pre-Biased 50V 100mA 250MHz 300mW Through Hole SPT
Sự miêu tả:TRANS PREBIAS PNP 300MW SPT
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, VCE:30 @ 10mA, 5V
Hiện tại - Collector Cutoff (Max):500nA
Hiện tại - Collector (Ic) (Max):100mA
Email:[email protected]

Nhanh Tìm Quote

Số Phần
Số lượng
Công ty
E-mail
Điện thoại
Bình luận