DTC024EMT2L
DTC024EMT2L
Số Phần:
DTC024EMT2L
nhà chế tạo:
LAPIS Semiconductor
Sự miêu tả:
TRANS PREBIAS NPN 50V VMT3
Tình trạng Miễn phí Tình trạng / Tình trạng RoHS:
Không có chì / tuân thủ RoHS
Số lượng có sẵn:
15709 Pieces
Bảng dữliệu:
DTC024EMT2L.pdf

Giới thiệu

BYCHIPS là nhà phân phối cho DTC024EMT2L, chúng tôi có các cổ phiếu cho vận chuyển ngay lập tức và cũng có sẵn để cung cấp thời gian dài. Vui lòng gửi cho chúng tôi gói mua hàng của bạn cho DTC024EMT2L qua email, chúng tôi sẽ cung cấp cho bạn một mức giá tốt nhất theo kế hoạch của bạn.
Mua DTC024EMT2L với BYCHPS
Mua với đảm bảo

Thông số kỹ thuật

Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max):50V
VCE Saturation (Max) @ Ib, Ic:150mV @ 500µA, 5mA
Loại bóng bán dẫn:NPN - Pre-Biased
Gói thiết bị nhà cung cấp:VMT3
Loạt:-
Điện trở - Emitter Base (R2) (Ohms):22k
Điện trở - Base (R1) (Ohms):22k
Power - Max:150mW
Bao bì:Tape & Reel (TR)
Gói / Case:SOT-723
Vài cái tên khác:DTC024EMT2LTR
gắn Loại:Surface Mount
Mức độ nhạy ẩm (MSL):1 (Unlimited)
Thời gian chuẩn của nhà sản xuất:10 Weeks
Số phần của nhà sản xuất:DTC024EMT2L
Tần số - Transition:250MHz
Mô tả mở rộng:Pre-Biased Bipolar Transistor (BJT) NPN - Pre-Biased 50V 30mA 250MHz 150mW Surface Mount VMT3
Sự miêu tả:TRANS PREBIAS NPN 50V VMT3
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, VCE:60 @ 5mA, 10V
Hiện tại - Collector Cutoff (Max):-
Hiện tại - Collector (Ic) (Max):30mA
Email:[email protected]

Nhanh Tìm Quote

Số Phần
Số lượng
Công ty
E-mail
Điện thoại
Bình luận