DTC114TEBTL
DTC114TEBTL
Số Phần:
DTC114TEBTL
nhà chế tạo:
LAPIS Semiconductor
Sự miêu tả:
TRANS PREBIAS NPN 150MW EMT3F
Tình trạng Miễn phí Tình trạng / Tình trạng RoHS:
Không có chì / tuân thủ RoHS
Số lượng có sẵn:
18248 Pieces
Bảng dữliệu:
DTC114TEBTL.pdf

Giới thiệu

BYCHIPS là nhà phân phối cho DTC114TEBTL, chúng tôi có các cổ phiếu cho vận chuyển ngay lập tức và cũng có sẵn để cung cấp thời gian dài. Vui lòng gửi cho chúng tôi gói mua hàng của bạn cho DTC114TEBTL qua email, chúng tôi sẽ cung cấp cho bạn một mức giá tốt nhất theo kế hoạch của bạn.
Mua DTC114TEBTL với BYCHPS
Mua với đảm bảo

Thông số kỹ thuật

Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max):50V
VCE Saturation (Max) @ Ib, Ic:300mV @ 1mA, 10mA
Loại bóng bán dẫn:NPN - Pre-Biased
Gói thiết bị nhà cung cấp:EMT3F (SOT-416FL)
Loạt:-
Điện trở - Emitter Base (R2) (Ohms):-
Điện trở - Base (R1) (Ohms):10k
Power - Max:150mW
Bao bì:Tape & Reel (TR)
Gói / Case:SC-89, SOT-490
Vài cái tên khác:DTC114TEBTL-ND
DTC114TEBTLTR
gắn Loại:Surface Mount
Mức độ nhạy ẩm (MSL):1 (Unlimited)
Thời gian chuẩn của nhà sản xuất:10 Weeks
Số phần của nhà sản xuất:DTC114TEBTL
Tần số - Transition:250MHz
Mô tả mở rộng:Pre-Biased Bipolar Transistor (BJT) NPN - Pre-Biased 50V 100mA 250MHz 150mW Surface Mount EMT3F (SOT-416FL)
Sự miêu tả:TRANS PREBIAS NPN 150MW EMT3F
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, VCE:100 @ 1mA, 5V
Hiện tại - Collector Cutoff (Max):500nA (ICBO)
Hiện tại - Collector (Ic) (Max):100mA
Email:[email protected]

Nhanh Tìm Quote

Số Phần
Số lượng
Công ty
E-mail
Điện thoại
Bình luận