DTC123JSATP
DTC123JSATP
Số Phần:
DTC123JSATP
nhà chế tạo:
LAPIS Semiconductor
Sự miêu tả:
TRANS PREBIAS NPN 300MW SPT
Tình trạng Miễn phí Tình trạng / Tình trạng RoHS:
Không có chì / tuân thủ RoHS
Số lượng có sẵn:
13518 Pieces
Bảng dữliệu:
DTC123JSATP.pdf

Giới thiệu

BYCHIPS là nhà phân phối cho DTC123JSATP, chúng tôi có các cổ phiếu cho vận chuyển ngay lập tức và cũng có sẵn để cung cấp thời gian dài. Vui lòng gửi cho chúng tôi gói mua hàng của bạn cho DTC123JSATP qua email, chúng tôi sẽ cung cấp cho bạn một mức giá tốt nhất theo kế hoạch của bạn.
Mua DTC123JSATP với BYCHPS
Mua với đảm bảo

Thông số kỹ thuật

Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max):50V
VCE Saturation (Max) @ Ib, Ic:300mV @ 250µA, 5mA
Loại bóng bán dẫn:NPN - Pre-Biased
Gói thiết bị nhà cung cấp:SPT
Loạt:-
Điện trở - Emitter Base (R2) (Ohms):47k
Điện trở - Base (R1) (Ohms):2.2k
Power - Max:300mW
Bao bì:Tape & Box (TB)
Gói / Case:SC-72 Formed Leads
gắn Loại:Through Hole
Mức độ nhạy ẩm (MSL):1 (Unlimited)
Số phần của nhà sản xuất:DTC123JSATP
Tần số - Transition:250MHz
Mô tả mở rộng:Pre-Biased Bipolar Transistor (BJT) NPN - Pre-Biased 50V 100mA 250MHz 300mW Through Hole SPT
Sự miêu tả:TRANS PREBIAS NPN 300MW SPT
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, VCE:80 @ 10mA, 5V
Hiện tại - Collector Cutoff (Max):500nA
Hiện tại - Collector (Ic) (Max):100mA
Email:[email protected]

Nhanh Tìm Quote

Số Phần
Số lượng
Công ty
E-mail
Điện thoại
Bình luận