DTD143ECT216
DTD143ECT216
Số Phần:
DTD143ECT216
nhà chế tạo:
LAPIS Semiconductor
Sự miêu tả:
TRANS PREBIAS NPN 200MW SST3
Tình trạng Miễn phí Tình trạng / Tình trạng RoHS:
Không có chì / tuân thủ RoHS
Số lượng có sẵn:
13554 Pieces
Bảng dữliệu:
DTD143ECT216.pdf

Giới thiệu

BYCHIPS là nhà phân phối cho DTD143ECT216, chúng tôi có các cổ phiếu cho vận chuyển ngay lập tức và cũng có sẵn để cung cấp thời gian dài. Vui lòng gửi cho chúng tôi gói mua hàng của bạn cho DTD143ECT216 qua email, chúng tôi sẽ cung cấp cho bạn một mức giá tốt nhất theo kế hoạch của bạn.
Mua DTD143ECT216 với BYCHPS
Mua với đảm bảo

Thông số kỹ thuật

Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max):50V
VCE Saturation (Max) @ Ib, Ic:300mV @ 2.5mA, 50mA
Loại bóng bán dẫn:NPN - Pre-Biased
Gói thiết bị nhà cung cấp:SST3
Loạt:-
Điện trở - Emitter Base (R2) (Ohms):4.7k
Điện trở - Base (R1) (Ohms):4.7k
Power - Max:200mW
Bao bì:Tape & Reel (TR)
Gói / Case:TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
gắn Loại:Surface Mount
Mức độ nhạy ẩm (MSL):1 (Unlimited)
Số phần của nhà sản xuất:DTD143ECT216
Tần số - Transition:200MHz
Mô tả mở rộng:Pre-Biased Bipolar Transistor (BJT) NPN - Pre-Biased 50V 500mA 200MHz 200mW Surface Mount SST3
Sự miêu tả:TRANS PREBIAS NPN 200MW SST3
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, VCE:47 @ 50mA, 5V
Hiện tại - Collector Cutoff (Max):500nA
Hiện tại - Collector (Ic) (Max):500mA
Email:[email protected]

Nhanh Tìm Quote

Số Phần
Số lượng
Công ty
E-mail
Điện thoại
Bình luận