EMD59T2R
EMD59T2R
Số Phần:
EMD59T2R
nhà chế tạo:
LAPIS Semiconductor
Sự miêu tả:
TRANS NPN/PNP PREBIAS 0.15W EMT6
Tình trạng Miễn phí Tình trạng / Tình trạng RoHS:
Không có chì / tuân thủ RoHS
Số lượng có sẵn:
16516 Pieces
Bảng dữliệu:
EMD59T2R.pdf

Giới thiệu

BYCHIPS là nhà phân phối cho EMD59T2R, chúng tôi có các cổ phiếu cho vận chuyển ngay lập tức và cũng có sẵn để cung cấp thời gian dài. Vui lòng gửi cho chúng tôi gói mua hàng của bạn cho EMD59T2R qua email, chúng tôi sẽ cung cấp cho bạn một mức giá tốt nhất theo kế hoạch của bạn.
Mua EMD59T2R với BYCHPS
Mua với đảm bảo

Thông số kỹ thuật

Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max):50V
VCE Saturation (Max) @ Ib, Ic:150mV @ 500µA, 5mA
Loại bóng bán dẫn:1 NPN, 1 PNP - Pre-Biased (Dual)
Gói thiết bị nhà cung cấp:EMT6
Loạt:-
Điện trở - Emitter Base (R2) (Ohms):47k
Điện trở - Base (R1) (Ohms):10k
Power - Max:150mW
Bao bì:Tape & Reel (TR)
Gói / Case:SOT-563, SOT-666
Vài cái tên khác:EMD59T2RTR
gắn Loại:Surface Mount
Mức độ nhạy ẩm (MSL):1 (Unlimited)
Thời gian chuẩn của nhà sản xuất:10 Weeks
Số phần của nhà sản xuất:EMD59T2R
Tần số - Transition:250MHz
Mô tả mở rộng:Pre-Biased Bipolar Transistor (BJT) 1 NPN, 1 PNP - Pre-Biased (Dual) 50V 100mA 250MHz 150mW Surface Mount EMT6
Sự miêu tả:TRANS NPN/PNP PREBIAS 0.15W EMT6
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, VCE:80 @ 5mA, 10V
Hiện tại - Collector Cutoff (Max):500nA
Hiện tại - Collector (Ic) (Max):100mA
Email:[email protected]

Nhanh Tìm Quote

Số Phần
Số lượng
Công ty
E-mail
Điện thoại
Bình luận