EMD59T2R - Rohm Semiconductor - Transitor - Lưỡng cực (BJT) - Mảng, Pre-Biased EMD59T2R

EMD59T2R

Số Phần:: EMD59T2R

nhà chế tạo:: LAPIS Semiconductor

Sự miêu tả:: TRANS NPN/PNP PREBIAS 0.15W EMT6

Tình trạng Miễn phí Tình trạng / Tình trạng RoHS:: Không có chì / tuân thủ RoHS

Số lượng có sẵn:: 16516 Pieces

Bảng dữliệu:: EMD59T2R.pdf

Tin nhắn của bạn

Giới thiệu

BYCHIPS là nhà phân phối cho EMD59T2R, chúng tôi có các cổ phiếu cho vận chuyển ngay lập tức và cũng có sẵn để cung cấp thời gian dài. Vui lòng gửi cho chúng tôi gói mua hàng của bạn cho EMD59T2R qua email, chúng tôi sẽ cung cấp cho bạn một mức giá tốt nhất theo kế hoạch của bạn.

Mua EMD59T2R với BYCHPS

Mua với đảm bảo

Thông số kỹ thuật

Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max):	50V
VCE Saturation (Max) @ Ib, Ic:	150mV @ 500µA, 5mA
Loại bóng bán dẫn:	1 NPN, 1 PNP - Pre-Biased (Dual)
Gói thiết bị nhà cung cấp:	EMT6
Loạt:	-
Điện trở - Emitter Base (R2) (Ohms):	47k
Điện trở - Base (R1) (Ohms):	10k
Power - Max:	150mW
Bao bì:	Tape & Reel (TR)
Gói / Case:	SOT-563, SOT-666
Vài cái tên khác:	EMD59T2RTR
gắn Loại:	Surface Mount
Mức độ nhạy ẩm (MSL):	1 (Unlimited)
Thời gian chuẩn của nhà sản xuất:	10 Weeks
Số phần của nhà sản xuất:	EMD59T2R
Tần số - Transition:	250MHz
Mô tả mở rộng:	Pre-Biased Bipolar Transistor (BJT) 1 NPN, 1 PNP - Pre-Biased (Dual) 50V 100mA 250MHz 150mW Surface Mount EMT6
Sự miêu tả:	TRANS NPN/PNP PREBIAS 0.15W EMT6
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, VCE:	80 @ 5mA, 10V
Hiện tại - Collector Cutoff (Max):	500nA
Hiện tại - Collector (Ic) (Max):	100mA
Email:	[email protected]

bộ phận liên quan cho EMD59T2R

Số Phần	Nhà sản xuất của	Sự miêu tả	Lượt xem
UMH1NTN	Rohm Semiconductor	TRANS 2NPN PREBIAS 0.15W UMT6	Tin nhắn của bạn
PUMD24,115	Nexperia USA Inc.	TRANS PREBIAS NPN/PNP 6TSSOP	Tin nhắn của bạn
RN2905FE,LF(CB	Toshiba Semiconductor and Storage	TRANS 2PNP PREBIAS 0.1W ES6	Tin nhắn của bạn
PEMH17,115	Nexperia USA Inc.	TRANS 2NPN PREBIAS 0.3W SOT666	Tin nhắn của bạn

Giới thiệu

Thông số kỹ thuật

Nhanh Tìm Quote

Latest Tin tức