EMF22T2R
EMF22T2R
Số Phần:
EMF22T2R
nhà chế tạo:
LAPIS Semiconductor
Sự miêu tả:
TRANS NPN PREBIAS/NPN 0.15W EMT6
Tình trạng Miễn phí Tình trạng / Tình trạng RoHS:
Không có chì / tuân thủ RoHS
Số lượng có sẵn:
17268 Pieces
Bảng dữliệu:
EMF22T2R.pdf

Giới thiệu

BYCHIPS là nhà phân phối cho EMF22T2R, chúng tôi có các cổ phiếu cho vận chuyển ngay lập tức và cũng có sẵn để cung cấp thời gian dài. Vui lòng gửi cho chúng tôi gói mua hàng của bạn cho EMF22T2R qua email, chúng tôi sẽ cung cấp cho bạn một mức giá tốt nhất theo kế hoạch của bạn.
Mua EMF22T2R với BYCHPS
Mua với đảm bảo

Thông số kỹ thuật

Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max):50V, 12V
VCE Saturation (Max) @ Ib, Ic:300mV @ 500µA, 10mA / 250mV @ 10mA, 200mA
Loại bóng bán dẫn:1 NPN Pre-Biased, 1 NPN
Gói thiết bị nhà cung cấp:EMT6
Loạt:-
Điện trở - Emitter Base (R2) (Ohms):10k
Điện trở - Base (R1) (Ohms):10k
Power - Max:150mW
Bao bì:Tape & Reel (TR)
Gói / Case:SOT-563, SOT-666
gắn Loại:Surface Mount
Mức độ nhạy ẩm (MSL):1 (Unlimited)
Số phần của nhà sản xuất:EMF22T2R
Tần số - Transition:250MHz, 320MHz
Mô tả mở rộng:Pre-Biased Bipolar Transistor (BJT) 1 NPN Pre-Biased, 1 NPN 50V, 12V 100mA, 500mA 250MHz, 320MHz 150mW Surface Mount EMT6
Sự miêu tả:TRANS NPN PREBIAS/NPN 0.15W EMT6
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, VCE:30 @ 5mA, 5V / 270 @ 10mA, 2V
Hiện tại - Collector Cutoff (Max):500nA
Hiện tại - Collector (Ic) (Max):100mA, 500mA
Email:[email protected]

Nhanh Tìm Quote

Số Phần
Số lượng
Công ty
E-mail
Điện thoại
Bình luận