EMG2DXV5T1G
EMG2DXV5T1G
Số Phần:
EMG2DXV5T1G
nhà chế tạo:
AMI Semiconductor / ON Semiconductor
Sự miêu tả:
TRANS 2NPN PREBIAS 0.23W SOT553
Tình trạng Miễn phí Tình trạng / Tình trạng RoHS:
Không có chì / tuân thủ RoHS
Số lượng có sẵn:
18203 Pieces
Bảng dữliệu:
EMG2DXV5T1G.pdf

Giới thiệu

BYCHIPS là nhà phân phối cho EMG2DXV5T1G, chúng tôi có các cổ phiếu cho vận chuyển ngay lập tức và cũng có sẵn để cung cấp thời gian dài. Vui lòng gửi cho chúng tôi gói mua hàng của bạn cho EMG2DXV5T1G qua email, chúng tôi sẽ cung cấp cho bạn một mức giá tốt nhất theo kế hoạch của bạn.
Mua EMG2DXV5T1G với BYCHPS
Mua với đảm bảo

Thông số kỹ thuật

Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max):50V
VCE Saturation (Max) @ Ib, Ic:250mV @ 300µA, 10mA
Loại bóng bán dẫn:2 NPN - Pre-Biased (Dual)
Gói thiết bị nhà cung cấp:SOT-553
Loạt:-
Điện trở - Emitter Base (R2) (Ohms):47k
Điện trở - Base (R1) (Ohms):47k
Power - Max:230mW
Bao bì:Tape & Reel (TR)
Gói / Case:SOT-553
gắn Loại:Surface Mount
Mức độ nhạy ẩm (MSL):1 (Unlimited)
Số phần của nhà sản xuất:EMG2DXV5T1G
Tần số - Transition:-
Mô tả mở rộng:Pre-Biased Bipolar Transistor (BJT) 2 NPN - Pre-Biased (Dual) 50V 100mA 230mW Surface Mount SOT-553
Sự miêu tả:TRANS 2NPN PREBIAS 0.23W SOT553
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, VCE:80 @ 5mA, 10V
Hiện tại - Collector Cutoff (Max):500nA
Hiện tại - Collector (Ic) (Max):100mA
Email:[email protected]

Nhanh Tìm Quote

Số Phần
Số lượng
Công ty
E-mail
Điện thoại
Bình luận