Mua EPC2019ENG với BYCHPS
Mua với đảm bảo
VGS (th) (Max) @ Id: | 2.5V @ 1.5mA |
---|---|
Công nghệ: | GaNFET (Gallium Nitride) |
Gói thiết bị nhà cung cấp: | Die |
Loạt: | eGaN® |
Rds On (Max) @ Id, VGS: | 50 mOhm @ 7A, 5V |
Điện cực phân tán (Max): | - |
Bao bì: | Tape & Reel (TR) |
Gói / Case: | Die |
Vài cái tên khác: | 917-1055-2 |
Nhiệt độ hoạt động: | -40°C ~ 150°C (TJ) |
gắn Loại: | Surface Mount |
Mức độ nhạy ẩm (MSL): | 1 (Unlimited) |
Số phần của nhà sản xuất: | EPC2019ENG |
Điện dung đầu vào (Ciss) (Max) @ Vds: | 270pF @ 100V |
Phím cổng (Qg) (Max) @ Vgs: | 2.5nC @ 5V |
Loại FET: | N-Channel |
FET Feature: | - |
Mô tả mở rộng: | N-Channel 200V 8.5A (Ta) Surface Mount Die |
Xả để nguồn điện áp (Vdss): | 200V |
Sự miêu tả: | TRANS GAN 200V 8.5A BUMPED DIE |
Hiện tại - Drain liên tục (Id) @ 25 ° C: | 8.5A (Ta) |
Email: | [email protected] |