ES6U3T2CR
ES6U3T2CR
Số Phần:
ES6U3T2CR
nhà chế tạo:
LAPIS Semiconductor
Sự miêu tả:
MOSFET N-CH 30V 1.4A WEMT6
Tình trạng Miễn phí Tình trạng / Tình trạng RoHS:
Không có chì / tuân thủ RoHS
Số lượng có sẵn:
14635 Pieces
Bảng dữliệu:
ES6U3T2CR.pdf

Giới thiệu

BYCHIPS là nhà phân phối cho ES6U3T2CR, chúng tôi có các cổ phiếu cho vận chuyển ngay lập tức và cũng có sẵn để cung cấp thời gian dài. Vui lòng gửi cho chúng tôi gói mua hàng của bạn cho ES6U3T2CR qua email, chúng tôi sẽ cung cấp cho bạn một mức giá tốt nhất theo kế hoạch của bạn.
Mua ES6U3T2CR với BYCHPS
Mua với đảm bảo

Thông số kỹ thuật

VGS (th) (Max) @ Id:2.5V @ 1mA
Vgs (Tối đa):±20V
Công nghệ:MOSFET (Metal Oxide)
Gói thiết bị nhà cung cấp:6-WEMT
Loạt:-
Rds On (Max) @ Id, VGS:240 mOhm @ 1.4A, 10V
Điện cực phân tán (Max):700mW (Ta)
Bao bì:Tape & Reel (TR)
Gói / Case:SOT-563, SOT-666
Vài cái tên khác:ES6U3T2CRTR
Nhiệt độ hoạt động:150°C (TJ)
gắn Loại:Surface Mount
Mức độ nhạy ẩm (MSL):1 (Unlimited)
Thời gian chuẩn của nhà sản xuất:10 Weeks
Số phần của nhà sản xuất:ES6U3T2CR
Điện dung đầu vào (Ciss) (Max) @ Vds:70pF @ 10V
Phím cổng (Qg) (Max) @ Vgs:1.4nC @ 5V
Loại FET:N-Channel
FET Feature:Schottky Diode (Isolated)
Mô tả mở rộng:N-Channel 30V 1.4A (Ta) 700mW (Ta) Surface Mount 6-WEMT
Điện thế ổ đĩa (Max Rds On, Min Rds On):4V, 10V
Xả để nguồn điện áp (Vdss):30V
Sự miêu tả:MOSFET N-CH 30V 1.4A WEMT6
Hiện tại - Drain liên tục (Id) @ 25 ° C:1.4A (Ta)
Email:[email protected]

Nhanh Tìm Quote

Số Phần
Số lượng
Công ty
E-mail
Điện thoại
Bình luận