FCMT299N60
FCMT299N60
Số Phần:
FCMT299N60
nhà chế tạo:
Fairchild/ON Semiconductor
Sự miêu tả:
MOSFET N-CH 600V 12A POWER88
Tình trạng Miễn phí Tình trạng / Tình trạng RoHS:
Không có chì / tuân thủ RoHS
Số lượng có sẵn:
19815 Pieces
Bảng dữliệu:
FCMT299N60.pdf

Giới thiệu

BYCHIPS là nhà phân phối cho FCMT299N60, chúng tôi có các cổ phiếu cho vận chuyển ngay lập tức và cũng có sẵn để cung cấp thời gian dài. Vui lòng gửi cho chúng tôi gói mua hàng của bạn cho FCMT299N60 qua email, chúng tôi sẽ cung cấp cho bạn một mức giá tốt nhất theo kế hoạch của bạn.
Mua FCMT299N60 với BYCHPS
Mua với đảm bảo

Thông số kỹ thuật

VGS (th) (Max) @ Id:3.5V @ 250µA
Vgs (Tối đa):±20V
Công nghệ:MOSFET (Metal Oxide)
Gói thiết bị nhà cung cấp:Power88
Loạt:SuperFET® II
Rds On (Max) @ Id, VGS:299 mOhm @ 6A, 10V
Điện cực phân tán (Max):125W (Tc)
Bao bì:Tape & Reel (TR)
Gói / Case:4-PowerTSFN
Vài cái tên khác:FCMT299N60TR
Nhiệt độ hoạt động:-55°C ~ 150°C (TJ)
gắn Loại:Surface Mount
Mức độ nhạy ẩm (MSL):1 (Unlimited)
Thời gian chuẩn của nhà sản xuất:18 Weeks
Số phần của nhà sản xuất:FCMT299N60
Điện dung đầu vào (Ciss) (Max) @ Vds:1948pF @ 380V
Phím cổng (Qg) (Max) @ Vgs:51nC @ 10V
Loại FET:N-Channel
FET Feature:-
Mô tả mở rộng:N-Channel 600V 12A (Ta) 125W (Tc) Surface Mount Power88
Điện thế ổ đĩa (Max Rds On, Min Rds On):10V
Xả để nguồn điện áp (Vdss):600V
Sự miêu tả:MOSFET N-CH 600V 12A POWER88
Hiện tại - Drain liên tục (Id) @ 25 ° C:12A (Ta)
Email:[email protected]

Nhanh Tìm Quote

Số Phần
Số lượng
Công ty
E-mail
Điện thoại
Bình luận