FDC640P
FDC640P
Số Phần:
FDC640P
nhà chế tạo:
Fairchild/ON Semiconductor
Sự miêu tả:
MOSFET P-CH 20V 4.5A SSOT-6
Tình trạng Miễn phí Tình trạng / Tình trạng RoHS:
Không có chì / tuân thủ RoHS
Số lượng có sẵn:
15795 Pieces
Bảng dữliệu:
FDC640P.pdf

Giới thiệu

BYCHIPS là nhà phân phối cho FDC640P, chúng tôi có các cổ phiếu cho vận chuyển ngay lập tức và cũng có sẵn để cung cấp thời gian dài. Vui lòng gửi cho chúng tôi gói mua hàng của bạn cho FDC640P qua email, chúng tôi sẽ cung cấp cho bạn một mức giá tốt nhất theo kế hoạch của bạn.
Mua FDC640P với BYCHPS
Mua với đảm bảo

Thông số kỹ thuật

VGS (th) (Max) @ Id:1.5V @ 250µA
Vgs (Tối đa):±12V
Công nghệ:MOSFET (Metal Oxide)
Gói thiết bị nhà cung cấp:SuperSOT™-6
Loạt:PowerTrench®
Rds On (Max) @ Id, VGS:53 mOhm @ 4.5A, 4.5V
Điện cực phân tán (Max):1.6W (Ta)
Bao bì:Tape & Reel (TR)
Gói / Case:SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6
Vài cái tên khác:FDC640P-ND
Nhiệt độ hoạt động:-55°C ~ 150°C (TJ)
gắn Loại:Surface Mount
Mức độ nhạy ẩm (MSL):1 (Unlimited)
Thời gian chuẩn của nhà sản xuất:11 Weeks
Số phần của nhà sản xuất:FDC640P
Điện dung đầu vào (Ciss) (Max) @ Vds:890pF @ 10V
Phím cổng (Qg) (Max) @ Vgs:13nC @ 4.5V
Loại FET:P-Channel
FET Feature:-
Mô tả mở rộng:P-Channel 20V 4.5A (Ta) 1.6W (Ta) Surface Mount SuperSOT™-6
Điện thế ổ đĩa (Max Rds On, Min Rds On):2.5V, 4.5V
Xả để nguồn điện áp (Vdss):20V
Sự miêu tả:MOSFET P-CH 20V 4.5A SSOT-6
Hiện tại - Drain liên tục (Id) @ 25 ° C:4.5A (Ta)
Email:[email protected]

Nhanh Tìm Quote

Số Phần
Số lượng
Công ty
E-mail
Điện thoại
Bình luận