FDMC86139P
FDMC86139P
Số Phần:
FDMC86139P
nhà chế tạo:
Fairchild/ON Semiconductor
Sự miêu tả:
MOSFET P-CH 100V 4.4A 8MLP
Tình trạng Miễn phí Tình trạng / Tình trạng RoHS:
Không có chì / tuân thủ RoHS
Số lượng có sẵn:
17852 Pieces
Bảng dữliệu:
FDMC86139P.pdf

Giới thiệu

BYCHIPS là nhà phân phối cho FDMC86139P, chúng tôi có các cổ phiếu cho vận chuyển ngay lập tức và cũng có sẵn để cung cấp thời gian dài. Vui lòng gửi cho chúng tôi gói mua hàng của bạn cho FDMC86139P qua email, chúng tôi sẽ cung cấp cho bạn một mức giá tốt nhất theo kế hoạch của bạn.
Mua FDMC86139P với BYCHPS
Mua với đảm bảo

Thông số kỹ thuật

VGS (th) (Max) @ Id:4V @ 250µA
Vgs (Tối đa):±25V
Công nghệ:MOSFET (Metal Oxide)
Gói thiết bị nhà cung cấp:8-MLP (3.3x3.3)
Loạt:PowerTrench®
Rds On (Max) @ Id, VGS:67 mOhm @ 4.4A, 10V
Điện cực phân tán (Max):2.3W (Ta), 40W (Tc)
Bao bì:Tape & Reel (TR)
Gói / Case:8-PowerWDFN
Vài cái tên khác:FDMC86139PTR
Nhiệt độ hoạt động:-55°C ~ 150°C (TJ)
gắn Loại:Surface Mount
Mức độ nhạy ẩm (MSL):1 (Unlimited)
Thời gian chuẩn của nhà sản xuất:12 Weeks
Số phần của nhà sản xuất:FDMC86139P
Điện dung đầu vào (Ciss) (Max) @ Vds:1335pF @ 50V
Phím cổng (Qg) (Max) @ Vgs:22nC @ 10V
Loại FET:P-Channel
FET Feature:-
Mô tả mở rộng:P-Channel 100V 4.4A (Ta), 15A (Tc) 2.3W (Ta), 40W (Tc) Surface Mount 8-MLP (3.3x3.3)
Điện thế ổ đĩa (Max Rds On, Min Rds On):6V, 10V
Xả để nguồn điện áp (Vdss):100V
Sự miêu tả:MOSFET P-CH 100V 4.4A 8MLP
Hiện tại - Drain liên tục (Id) @ 25 ° C:4.4A (Ta), 15A (Tc)
Email:[email protected]

Nhanh Tìm Quote

Số Phần
Số lượng
Công ty
E-mail
Điện thoại
Bình luận