FDMS3662
Số Phần:
FDMS3662
nhà chế tạo:
Fairchild/ON Semiconductor
Sự miêu tả:
MOSFET N-CH 100V 8.9A POWER56
Tình trạng Miễn phí Tình trạng / Tình trạng RoHS:
Không có chì / tuân thủ RoHS
Số lượng có sẵn:
16426 Pieces
Bảng dữliệu:
FDMS3662.pdf

Giới thiệu

BYCHIPS là nhà phân phối cho FDMS3662, chúng tôi có các cổ phiếu cho vận chuyển ngay lập tức và cũng có sẵn để cung cấp thời gian dài. Vui lòng gửi cho chúng tôi gói mua hàng của bạn cho FDMS3662 qua email, chúng tôi sẽ cung cấp cho bạn một mức giá tốt nhất theo kế hoạch của bạn.
Mua FDMS3662 với BYCHPS
Mua với đảm bảo

Thông số kỹ thuật

VGS (th) (Max) @ Id:4.5V @ 250µA
Vgs (Tối đa):±20V
Công nghệ:MOSFET (Metal Oxide)
Gói thiết bị nhà cung cấp:8-PQFN (5x6), Power56
Loạt:PowerTrench®
Rds On (Max) @ Id, VGS:14.8 mOhm @ 8.9A, 10V
Điện cực phân tán (Max):2.5W (Ta), 104W (Tc)
Bao bì:Original-Reel®
Gói / Case:8-PowerTDFN
Vài cái tên khác:FDMS3662DKR
Nhiệt độ hoạt động:-55°C ~ 150°C (TJ)
gắn Loại:Surface Mount
Mức độ nhạy ẩm (MSL):1 (Unlimited)
Thời gian chuẩn của nhà sản xuất:18 Weeks
Số phần của nhà sản xuất:FDMS3662
Điện dung đầu vào (Ciss) (Max) @ Vds:4620pF @ 50V
Phím cổng (Qg) (Max) @ Vgs:75nC @ 10V
Loại FET:N-Channel
FET Feature:-
Mô tả mở rộng:N-Channel 100V 8.9A (Ta), 49A (Tc) 2.5W (Ta), 104W (Tc) Surface Mount 8-PQFN (5x6), Power56
Điện thế ổ đĩa (Max Rds On, Min Rds On):10V
Xả để nguồn điện áp (Vdss):100V
Sự miêu tả:MOSFET N-CH 100V 8.9A POWER56
Hiện tại - Drain liên tục (Id) @ 25 ° C:8.9A (Ta), 49A (Tc)
Email:[email protected]

Nhanh Tìm Quote

Số Phần
Số lượng
Công ty
E-mail
Điện thoại
Bình luận