FDMS8558S
FDMS8558S
Số Phần:
FDMS8558S
nhà chế tạo:
Fairchild/ON Semiconductor
Sự miêu tả:
MOSFET N-CH 25V 33A 8-PQFN
Tình trạng Miễn phí Tình trạng / Tình trạng RoHS:
Không có chì / tuân thủ RoHS
Số lượng có sẵn:
17770 Pieces
Bảng dữliệu:
FDMS8558S.pdf

Giới thiệu

BYCHIPS là nhà phân phối cho FDMS8558S, chúng tôi có các cổ phiếu cho vận chuyển ngay lập tức và cũng có sẵn để cung cấp thời gian dài. Vui lòng gửi cho chúng tôi gói mua hàng của bạn cho FDMS8558S qua email, chúng tôi sẽ cung cấp cho bạn một mức giá tốt nhất theo kế hoạch của bạn.
Mua FDMS8558S với BYCHPS
Mua với đảm bảo

Thông số kỹ thuật

VGS (th) (Max) @ Id:2.2V @ 1mA
Vgs (Tối đa):±12V
Công nghệ:MOSFET (Metal Oxide)
Gói thiết bị nhà cung cấp:8-PQFN (5x6), Power56
Loạt:PowerTrench®, SyncFET™
Rds On (Max) @ Id, VGS:1.5 mOhm @ 33A, 10V
Điện cực phân tán (Max):2.5W (Ta), 78W (Tc)
Bao bì:Tape & Reel (TR)
Gói / Case:8-PowerTDFN
Vài cái tên khác:FDMS8558S-ND
FDMS8558STR
Nhiệt độ hoạt động:-55°C ~ 150°C (TJ)
gắn Loại:Surface Mount
Mức độ nhạy ẩm (MSL):1 (Unlimited)
Thời gian chuẩn của nhà sản xuất:12 Weeks
Số phần của nhà sản xuất:FDMS8558S
Điện dung đầu vào (Ciss) (Max) @ Vds:5118pF @ 13V
Phím cổng (Qg) (Max) @ Vgs:81nC @ 10V
Loại FET:N-Channel
FET Feature:-
Mô tả mở rộng:N-Channel 25V 33A (Ta), 90A (Tc) 2.5W (Ta), 78W (Tc) Surface Mount 8-PQFN (5x6), Power56
Điện thế ổ đĩa (Max Rds On, Min Rds On):4.5V, 10V
Xả để nguồn điện áp (Vdss):25V
Sự miêu tả:MOSFET N-CH 25V 33A 8-PQFN
Hiện tại - Drain liên tục (Id) @ 25 ° C:33A (Ta), 90A (Tc)
Email:[email protected]

Nhanh Tìm Quote

Số Phần
Số lượng
Công ty
E-mail
Điện thoại
Bình luận