FDMT800120DC
FDMT800120DC
Số Phần:
FDMT800120DC
nhà chế tạo:
Fairchild/ON Semiconductor
Sự miêu tả:
MOSFET N-CH 120V 20A/129A
Tình trạng Miễn phí Tình trạng / Tình trạng RoHS:
Không có chì / tuân thủ RoHS
Số lượng có sẵn:
15831 Pieces
Bảng dữliệu:
FDMT800120DC.pdf

Giới thiệu

BYCHIPS là nhà phân phối cho FDMT800120DC, chúng tôi có các cổ phiếu cho vận chuyển ngay lập tức và cũng có sẵn để cung cấp thời gian dài. Vui lòng gửi cho chúng tôi gói mua hàng của bạn cho FDMT800120DC qua email, chúng tôi sẽ cung cấp cho bạn một mức giá tốt nhất theo kế hoạch của bạn.
Mua FDMT800120DC với BYCHPS
Mua với đảm bảo

Thông số kỹ thuật

VGS (th) (Max) @ Id:4V @ 250µA
Vgs (Tối đa):±20V
Công nghệ:MOSFET (Metal Oxide)
Gói thiết bị nhà cung cấp:8-PQFN (8x8)
Loạt:Dual Cool™, PowerTrench®
Rds On (Max) @ Id, VGS:4.14 mOhm @ 20A, 10V
Điện cực phân tán (Max):3.2W (Ta), 156W (Tc)
Bao bì:Tape & Reel (TR)
Gói / Case:8-PowerVDFN
Vài cái tên khác:FDMT800120DCTR
Nhiệt độ hoạt động:-55°C ~ 150°C (TJ)
gắn Loại:Surface Mount
Mức độ nhạy ẩm (MSL):1 (Unlimited)
Thời gian chuẩn của nhà sản xuất:12 Weeks
Số phần của nhà sản xuất:FDMT800120DC
Điện dung đầu vào (Ciss) (Max) @ Vds:7850pF @ 60V
Phím cổng (Qg) (Max) @ Vgs:107nC @ 10V
Loại FET:N-Channel
FET Feature:-
Mô tả mở rộng:N-Channel 120V 20A (Ta), 129A (Tc) 3.2W (Ta), 156W (Tc) Surface Mount 8-PQFN (8x8)
Điện thế ổ đĩa (Max Rds On, Min Rds On):6V, 10V
Xả để nguồn điện áp (Vdss):120V
Sự miêu tả:MOSFET N-CH 120V 20A/129A
Hiện tại - Drain liên tục (Id) @ 25 ° C:20A (Ta), 129A (Tc)
Email:[email protected]

Nhanh Tìm Quote

Số Phần
Số lượng
Công ty
E-mail
Điện thoại
Bình luận