FDP047AN08A0
Số Phần:
FDP047AN08A0
nhà chế tạo:
Fairchild/ON Semiconductor
Sự miêu tả:
MOSFET N-CH 75V 80A TO-220AB
Tình trạng Miễn phí Tình trạng / Tình trạng RoHS:
Không có chì / tuân thủ RoHS
Số lượng có sẵn:
15276 Pieces
Bảng dữliệu:
1.FDP047AN08A0.pdf2.FDP047AN08A0.pdf

Giới thiệu

BYCHIPS là nhà phân phối cho FDP047AN08A0, chúng tôi có các cổ phiếu cho vận chuyển ngay lập tức và cũng có sẵn để cung cấp thời gian dài. Vui lòng gửi cho chúng tôi gói mua hàng của bạn cho FDP047AN08A0 qua email, chúng tôi sẽ cung cấp cho bạn một mức giá tốt nhất theo kế hoạch của bạn.
Mua FDP047AN08A0 với BYCHPS
Mua với đảm bảo

Thông số kỹ thuật

VGS (th) (Max) @ Id:4V @ 250µA
Vgs (Tối đa):±20V
Công nghệ:MOSFET (Metal Oxide)
Gói thiết bị nhà cung cấp:TO-220-3
Loạt:PowerTrench®
Rds On (Max) @ Id, VGS:4.7 mOhm @ 80A, 10V
Điện cực phân tán (Max):310W (Tc)
Bao bì:Tube
Gói / Case:TO-220-3
Vài cái tên khác:FDP047AN08A0-ND
FDP047AN08A0FS
Nhiệt độ hoạt động:-55°C ~ 175°C (TJ)
gắn Loại:Through Hole
Mức độ nhạy ẩm (MSL):1 (Unlimited)
Số phần của nhà sản xuất:FDP047AN08A0
Điện dung đầu vào (Ciss) (Max) @ Vds:6600pF @ 25V
Phím cổng (Qg) (Max) @ Vgs:138nC @ 10V
Loại FET:N-Channel
FET Feature:-
Mô tả mở rộng:N-Channel 75V 15A (Tc) 310W (Tc) Through Hole TO-220-3
Điện thế ổ đĩa (Max Rds On, Min Rds On):6V, 10V
Xả để nguồn điện áp (Vdss):75V
Sự miêu tả:MOSFET N-CH 75V 80A TO-220AB
Hiện tại - Drain liên tục (Id) @ 25 ° C:15A (Tc)
Email:[email protected]

Nhanh Tìm Quote

Số Phần
Số lượng
Công ty
E-mail
Điện thoại
Bình luận