FJV3101RMTF
Số Phần:
FJV3101RMTF
nhà chế tạo:
Fairchild/ON Semiconductor
Sự miêu tả:
TRANS PREBIAS NPN 200MW SOT23-3
Tình trạng Miễn phí Tình trạng / Tình trạng RoHS:
Không có chì / tuân thủ RoHS
Số lượng có sẵn:
14409 Pieces
Bảng dữliệu:
1.FJV3101RMTF.pdf2.FJV3101RMTF.pdf

Giới thiệu

BYCHIPS là nhà phân phối cho FJV3101RMTF, chúng tôi có các cổ phiếu cho vận chuyển ngay lập tức và cũng có sẵn để cung cấp thời gian dài. Vui lòng gửi cho chúng tôi gói mua hàng của bạn cho FJV3101RMTF qua email, chúng tôi sẽ cung cấp cho bạn một mức giá tốt nhất theo kế hoạch của bạn.
Mua FJV3101RMTF với BYCHPS
Mua với đảm bảo

Thông số kỹ thuật

Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max):50V
VCE Saturation (Max) @ Ib, Ic:300mV @ 500µA, 10mA
Loại bóng bán dẫn:NPN - Pre-Biased
Gói thiết bị nhà cung cấp:SOT-23-3 (TO-236)
Loạt:-
Điện trở - Emitter Base (R2) (Ohms):4.7k
Điện trở - Base (R1) (Ohms):4.7k
Power - Max:200mW
Bao bì:Tape & Reel (TR)
Gói / Case:TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Vài cái tên khác:FJV3101RMTF-ND
FJV3101RMTFTR
gắn Loại:Surface Mount
Mức độ nhạy ẩm (MSL):1 (Unlimited)
Thời gian chuẩn của nhà sản xuất:18 Weeks
Số phần của nhà sản xuất:FJV3101RMTF
Tần số - Transition:250MHz
Mô tả mở rộng:Pre-Biased Bipolar Transistor (BJT) NPN - Pre-Biased 50V 100mA 250MHz 200mW Surface Mount SOT-23-3 (TO-236)
Sự miêu tả:TRANS PREBIAS NPN 200MW SOT23-3
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, VCE:20 @ 10mA, 5V
Hiện tại - Collector Cutoff (Max):100nA (ICBO)
Hiện tại - Collector (Ic) (Max):100mA
Email:[email protected]

Nhanh Tìm Quote

Số Phần
Số lượng
Công ty
E-mail
Điện thoại
Bình luận