FP7G75US60 - Fairchild/ON Semiconductor - Transitor - IGBTs - Các mô-đun FP7G75US60

FP7G75US60

Số Phần:: FP7G75US60

nhà chế tạo:: Fairchild/ON Semiconductor

Sự miêu tả:: MODULE IGBT 600V 75A EPM7

Tình trạng Miễn phí Tình trạng / Tình trạng RoHS:: Không có chì / tuân thủ RoHS

Số lượng có sẵn:: 16220 Pieces

Bảng dữliệu:: FP7G75US60.pdf

Tin nhắn của bạn

Giới thiệu

BYCHIPS là nhà phân phối cho FP7G75US60, chúng tôi có các cổ phiếu cho vận chuyển ngay lập tức và cũng có sẵn để cung cấp thời gian dài. Vui lòng gửi cho chúng tôi gói mua hàng của bạn cho FP7G75US60 qua email, chúng tôi sẽ cung cấp cho bạn một mức giá tốt nhất theo kế hoạch của bạn.

Mua FP7G75US60 với BYCHPS

Mua với đảm bảo

Thông số kỹ thuật

Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max):	600V
VCE (trên) (Max) @ Vge, Ic:	2.8V @ 15V, 75A
Gói thiết bị nhà cung cấp:	EPM7
Loạt:	Power-SPM™
Power - Max:	310W
Gói / Case:	EPM7
Nhiệt độ hoạt động:	-40°C ~ 125°C (TJ)
NTC Thermistor:	No
gắn Loại:	Chassis Mount
Mức độ nhạy ẩm (MSL):	1 (Unlimited)
Số phần của nhà sản xuất:	FP7G75US60
Input Điện dung (Cies) @ VCE:	4.515nF @ 30V
Đầu vào:	Standard
Loại IGBT:	-
Mô tả mở rộng:	IGBT Module Half Bridge 600V 75A 310W Chassis Mount EPM7
Sự miêu tả:	MODULE IGBT 600V 75A EPM7
Hiện tại - Collector Cutoff (Max):	250µA
Hiện tại - Collector (Ic) (Max):	75A
Cấu hình:	Half Bridge
Email:	[email protected]

bộ phận liên quan cho FP7G75US60

Số Phần	Nhà sản xuất của	Sự miêu tả	Lượt xem
MWI30-06A7	IXYS	MOD IGBT SIXPACK RBSOA 600V E2	Tin nhắn của bạn
IRG5K35HF12A	Infineon Technologies	MOD IGBT 1200V 35A POWIR 34	Tin nhắn của bạn
CM200E3U-12H	Powerex Inc.	IGBT MOD CHOP 600V 200A U SER	Tin nhắn của bạn
MG12300WB-BN2MM	Littelfuse Inc.	IGBT 1200V 500A 1400W PKG WB	Tin nhắn của bạn
IRG7U200HF12B	Infineon Technologies	MOD IGBT 1200V 200A POWIR 62	Tin nhắn của bạn
APT75GN120J	Microsemi Corporation	IGBT 1200V 124A 379W SOT227	Tin nhắn của bạn

Giới thiệu

Thông số kỹ thuật

Nhanh Tìm Quote

Latest Tin tức