FQB13N10TM
FQB13N10TM
Số Phần:
FQB13N10TM
nhà chế tạo:
Fairchild/ON Semiconductor
Sự miêu tả:
MOSFET N-CH 100V 12.8A D2PAK
Tình trạng Miễn phí Tình trạng / Tình trạng RoHS:
Không có chì / tuân thủ RoHS
Số lượng có sẵn:
15772 Pieces
Bảng dữliệu:
FQB13N10TM.pdf

Giới thiệu

BYCHIPS là nhà phân phối cho FQB13N10TM, chúng tôi có các cổ phiếu cho vận chuyển ngay lập tức và cũng có sẵn để cung cấp thời gian dài. Vui lòng gửi cho chúng tôi gói mua hàng của bạn cho FQB13N10TM qua email, chúng tôi sẽ cung cấp cho bạn một mức giá tốt nhất theo kế hoạch của bạn.
Mua FQB13N10TM với BYCHPS
Mua với đảm bảo

Thông số kỹ thuật

VGS (th) (Max) @ Id:4V @ 250µA
Công nghệ:MOSFET (Metal Oxide)
Gói thiết bị nhà cung cấp:D²PAK (TO-263AB)
Loạt:QFET®
Rds On (Max) @ Id, VGS:180 mOhm @ 6.4A, 10V
Điện cực phân tán (Max):3.75W (Ta), 65W (Tc)
Bao bì:Tape & Reel (TR)
Gói / Case:TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
Nhiệt độ hoạt động:-55°C ~ 175°C (TJ)
gắn Loại:Surface Mount
Mức độ nhạy ẩm (MSL):1 (Unlimited)
Số phần của nhà sản xuất:FQB13N10TM
Điện dung đầu vào (Ciss) (Max) @ Vds:450pF @ 25V
Phím cổng (Qg) (Max) @ Vgs:16nC @ 10V
Loại FET:N-Channel
FET Feature:-
Mô tả mở rộng:N-Channel 100V 12.8A (Tc) 3.75W (Ta), 65W (Tc) Surface Mount D²PAK (TO-263AB)
Xả để nguồn điện áp (Vdss):100V
Sự miêu tả:MOSFET N-CH 100V 12.8A D2PAK
Hiện tại - Drain liên tục (Id) @ 25 ° C:12.8A (Tc)
Email:[email protected]

Nhanh Tìm Quote

Số Phần
Số lượng
Công ty
E-mail
Điện thoại
Bình luận