FQD6N50CTM
FQD6N50CTM
Số Phần:
FQD6N50CTM
nhà chế tạo:
Fairchild/ON Semiconductor
Sự miêu tả:
MOSFET N-CH 500V 4.5A DPAK
Tình trạng Miễn phí Tình trạng / Tình trạng RoHS:
Không có chì / tuân thủ RoHS
Số lượng có sẵn:
18995 Pieces
Bảng dữliệu:
1.FQD6N50CTM.pdf2.FQD6N50CTM.pdf

Giới thiệu

BYCHIPS là nhà phân phối cho FQD6N50CTM, chúng tôi có các cổ phiếu cho vận chuyển ngay lập tức và cũng có sẵn để cung cấp thời gian dài. Vui lòng gửi cho chúng tôi gói mua hàng của bạn cho FQD6N50CTM qua email, chúng tôi sẽ cung cấp cho bạn một mức giá tốt nhất theo kế hoạch của bạn.
Mua FQD6N50CTM với BYCHPS
Mua với đảm bảo

Thông số kỹ thuật

VGS (th) (Max) @ Id:4V @ 250µA
Công nghệ:MOSFET (Metal Oxide)
Gói thiết bị nhà cung cấp:D-Pak
Loạt:QFET®
Rds On (Max) @ Id, VGS:1.2 Ohm @ 2.25A, 10V
Điện cực phân tán (Max):2.5W (Ta), 61W (Tc)
Bao bì:Tape & Reel (TR)
Gói / Case:TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Vài cái tên khác:FQD6N50CTM-ND
FQD6N50CTMTR
Nhiệt độ hoạt động:-55°C ~ 150°C (TJ)
gắn Loại:Surface Mount
Mức độ nhạy ẩm (MSL):1 (Unlimited)
Thời gian chuẩn của nhà sản xuất:6 Weeks
Số phần của nhà sản xuất:FQD6N50CTM
Điện dung đầu vào (Ciss) (Max) @ Vds:700pF @ 25V
Phím cổng (Qg) (Max) @ Vgs:25nC @ 10V
Loại FET:N-Channel
FET Feature:-
Mô tả mở rộng:N-Channel 500V 4.5A (Tc) 2.5W (Ta), 61W (Tc) Surface Mount D-Pak
Xả để nguồn điện áp (Vdss):500V
Sự miêu tả:MOSFET N-CH 500V 4.5A DPAK
Hiện tại - Drain liên tục (Id) @ 25 ° C:4.5A (Tc)
Email:[email protected]

Nhanh Tìm Quote

Số Phần
Số lượng
Công ty
E-mail
Điện thoại
Bình luận