FQD8P10TM
FQD8P10TM
Số Phần:
FQD8P10TM
nhà chế tạo:
Fairchild/ON Semiconductor
Sự miêu tả:
MOSFET P-CH 100V 6.6A DPAK
Tình trạng Miễn phí Tình trạng / Tình trạng RoHS:
Không có chì / tuân thủ RoHS
Số lượng có sẵn:
19324 Pieces
Bảng dữliệu:
1.FQD8P10TM.pdf2.FQD8P10TM.pdf

Giới thiệu

BYCHIPS là nhà phân phối cho FQD8P10TM, chúng tôi có các cổ phiếu cho vận chuyển ngay lập tức và cũng có sẵn để cung cấp thời gian dài. Vui lòng gửi cho chúng tôi gói mua hàng của bạn cho FQD8P10TM qua email, chúng tôi sẽ cung cấp cho bạn một mức giá tốt nhất theo kế hoạch của bạn.
Mua FQD8P10TM với BYCHPS
Mua với đảm bảo

Thông số kỹ thuật

VGS (th) (Max) @ Id:4V @ 250µA
Vgs (Tối đa):±30V
Công nghệ:MOSFET (Metal Oxide)
Gói thiết bị nhà cung cấp:D-Pak
Loạt:QFET®
Rds On (Max) @ Id, VGS:530 mOhm @ 3.3A, 10V
Điện cực phân tán (Max):2.5W (Ta), 44W (Tc)
Bao bì:Tape & Reel (TR)
Gói / Case:TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Vài cái tên khác:FQD8P10TM-ND
FQD8P10TMTR
Nhiệt độ hoạt động:-55°C ~ 150°C (TJ)
gắn Loại:Surface Mount
Mức độ nhạy ẩm (MSL):1 (Unlimited)
Thời gian chuẩn của nhà sản xuất:6 Weeks
Số phần của nhà sản xuất:FQD8P10TM
Điện dung đầu vào (Ciss) (Max) @ Vds:470pF @ 25V
Phím cổng (Qg) (Max) @ Vgs:15nC @ 10V
Loại FET:P-Channel
FET Feature:-
Mô tả mở rộng:P-Channel 100V 6.6A (Tc) 2.5W (Ta), 44W (Tc) Surface Mount D-Pak
Điện thế ổ đĩa (Max Rds On, Min Rds On):10V
Xả để nguồn điện áp (Vdss):100V
Sự miêu tả:MOSFET P-CH 100V 6.6A DPAK
Hiện tại - Drain liên tục (Id) @ 25 ° C:6.6A (Tc)
Email:[email protected]

Nhanh Tìm Quote

Số Phần
Số lượng
Công ty
E-mail
Điện thoại
Bình luận