FQI6N60CTU
FQI6N60CTU
Số Phần:
FQI6N60CTU
nhà chế tạo:
Fairchild/ON Semiconductor
Sự miêu tả:
MOSFET N-CH 600V 5.5A I2PAK
Tình trạng Miễn phí Tình trạng / Tình trạng RoHS:
Không có chì / tuân thủ RoHS
Số lượng có sẵn:
18622 Pieces
Bảng dữliệu:
FQI6N60CTU.pdf

Giới thiệu

BYCHIPS là nhà phân phối cho FQI6N60CTU, chúng tôi có các cổ phiếu cho vận chuyển ngay lập tức và cũng có sẵn để cung cấp thời gian dài. Vui lòng gửi cho chúng tôi gói mua hàng của bạn cho FQI6N60CTU qua email, chúng tôi sẽ cung cấp cho bạn một mức giá tốt nhất theo kế hoạch của bạn.
Mua FQI6N60CTU với BYCHPS
Mua với đảm bảo

Thông số kỹ thuật

VGS (th) (Max) @ Id:4V @ 250µA
Công nghệ:MOSFET (Metal Oxide)
Gói thiết bị nhà cung cấp:I2PAK
Loạt:QFET®
Rds On (Max) @ Id, VGS:2 Ohm @ 2.75A, 10V
Điện cực phân tán (Max):125W (Tc)
Bao bì:Tube
Gói / Case:TO-262-3 Long Leads, I²Pak, TO-262AA
Nhiệt độ hoạt động:-55°C ~ 150°C (TJ)
gắn Loại:Through Hole
Mức độ nhạy ẩm (MSL):1 (Unlimited)
Số phần của nhà sản xuất:FQI6N60CTU
Điện dung đầu vào (Ciss) (Max) @ Vds:810pF @ 25V
Phím cổng (Qg) (Max) @ Vgs:20nC @ 10V
Loại FET:N-Channel
FET Feature:-
Mô tả mở rộng:N-Channel 600V 5.5A (Tc) 125W (Tc) Through Hole I2PAK
Xả để nguồn điện áp (Vdss):600V
Sự miêu tả:MOSFET N-CH 600V 5.5A I2PAK
Hiện tại - Drain liên tục (Id) @ 25 ° C:5.5A (Tc)
Email:[email protected]

Nhanh Tìm Quote

Số Phần
Số lượng
Công ty
E-mail
Điện thoại
Bình luận