Mua FQI8P10TU với BYCHPS
Mua với đảm bảo
VGS (th) (Max) @ Id: | 4V @ 250µA |
---|---|
Công nghệ: | MOSFET (Metal Oxide) |
Gói thiết bị nhà cung cấp: | I2PAK (TO-262) |
Loạt: | QFET® |
Rds On (Max) @ Id, VGS: | 530 mOhm @ 4A, 10V |
Điện cực phân tán (Max): | 3.75W (Ta), 65W (Tc) |
Bao bì: | Tube |
Gói / Case: | TO-262-3 Long Leads, I²Pak, TO-262AA |
Nhiệt độ hoạt động: | -55°C ~ 175°C (TJ) |
gắn Loại: | Through Hole |
Mức độ nhạy ẩm (MSL): | 1 (Unlimited) |
Số phần của nhà sản xuất: | FQI8P10TU |
Điện dung đầu vào (Ciss) (Max) @ Vds: | 470pF @ 25V |
Phím cổng (Qg) (Max) @ Vgs: | 15nC @ 10V |
Loại FET: | P-Channel |
FET Feature: | - |
Mô tả mở rộng: | P-Channel 100V 8A (Tc) 3.75W (Ta), 65W (Tc) Through Hole I2PAK (TO-262) |
Xả để nguồn điện áp (Vdss): | 100V |
Sự miêu tả: | MOSFET P-CH 100V 8A I2PAK |
Hiện tại - Drain liên tục (Id) @ 25 ° C: | 8A (Tc) |
Email: | [email protected] |