FQT4N25TF
FQT4N25TF
Số Phần:
FQT4N25TF
nhà chế tạo:
Fairchild/ON Semiconductor
Sự miêu tả:
MOSFET N-CH 250V 0.83A SOT-223
Tình trạng Miễn phí Tình trạng / Tình trạng RoHS:
Không có chì / tuân thủ RoHS
Số lượng có sẵn:
17773 Pieces
Bảng dữliệu:
1.FQT4N25TF.pdf2.FQT4N25TF.pdf

Giới thiệu

BYCHIPS là nhà phân phối cho FQT4N25TF, chúng tôi có các cổ phiếu cho vận chuyển ngay lập tức và cũng có sẵn để cung cấp thời gian dài. Vui lòng gửi cho chúng tôi gói mua hàng của bạn cho FQT4N25TF qua email, chúng tôi sẽ cung cấp cho bạn một mức giá tốt nhất theo kế hoạch của bạn.
Mua FQT4N25TF với BYCHPS
Mua với đảm bảo

Thông số kỹ thuật

VGS (th) (Max) @ Id:5V @ 250µA
Vgs (Tối đa):±30V
Công nghệ:MOSFET (Metal Oxide)
Gói thiết bị nhà cung cấp:SOT-223-4
Loạt:QFET®
Rds On (Max) @ Id, VGS:1.75 Ohm @ 415mA, 10V
Điện cực phân tán (Max):2.5W (Tc)
Bao bì:Tape & Reel (TR)
Gói / Case:TO-261-4, TO-261AA
Vài cái tên khác:FQT4N25TF-ND
FQT4N25TFTR
Nhiệt độ hoạt động:-55°C ~ 150°C (TJ)
gắn Loại:Surface Mount
Mức độ nhạy ẩm (MSL):1 (Unlimited)
Thời gian chuẩn của nhà sản xuất:7 Weeks
Số phần của nhà sản xuất:FQT4N25TF
Điện dung đầu vào (Ciss) (Max) @ Vds:200pF @ 25V
Phím cổng (Qg) (Max) @ Vgs:5.6nC @ 10V
Loại FET:N-Channel
FET Feature:-
Mô tả mở rộng:N-Channel 250V 830mA (Tc) 2.5W (Tc) Surface Mount SOT-223-4
Điện thế ổ đĩa (Max Rds On, Min Rds On):10V
Xả để nguồn điện áp (Vdss):250V
Sự miêu tả:MOSFET N-CH 250V 0.83A SOT-223
Hiện tại - Drain liên tục (Id) @ 25 ° C:830mA (Tc)
Email:[email protected]

Nhanh Tìm Quote

Số Phần
Số lượng
Công ty
E-mail
Điện thoại
Bình luận