FQU3N50CTU
FQU3N50CTU
Số Phần:
FQU3N50CTU
nhà chế tạo:
Fairchild/ON Semiconductor
Sự miêu tả:
MOSFET N-CH 500V 2.5A IPAK
Tình trạng Miễn phí Tình trạng / Tình trạng RoHS:
Không có chì / tuân thủ RoHS
Số lượng có sẵn:
20420 Pieces
Bảng dữliệu:
FQU3N50CTU.pdf

Giới thiệu

BYCHIPS là nhà phân phối cho FQU3N50CTU, chúng tôi có các cổ phiếu cho vận chuyển ngay lập tức và cũng có sẵn để cung cấp thời gian dài. Vui lòng gửi cho chúng tôi gói mua hàng của bạn cho FQU3N50CTU qua email, chúng tôi sẽ cung cấp cho bạn một mức giá tốt nhất theo kế hoạch của bạn.
Mua FQU3N50CTU với BYCHPS
Mua với đảm bảo

Thông số kỹ thuật

VGS (th) (Max) @ Id:4V @ 250µA
Vgs (Tối đa):±30V
Công nghệ:MOSFET (Metal Oxide)
Gói thiết bị nhà cung cấp:I-Pak
Loạt:QFET®
Rds On (Max) @ Id, VGS:2.5 Ohm @ 1.25A, 10V
Điện cực phân tán (Max):35W (Tc)
Bao bì:Tube
Gói / Case:TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA
Nhiệt độ hoạt động:-55°C ~ 150°C (TJ)
gắn Loại:Through Hole
Mức độ nhạy ẩm (MSL):1 (Unlimited)
Thời gian chuẩn của nhà sản xuất:6 Weeks
Số phần của nhà sản xuất:FQU3N50CTU
Điện dung đầu vào (Ciss) (Max) @ Vds:365pF @ 25V
Phím cổng (Qg) (Max) @ Vgs:13nC @ 10V
Loại FET:N-Channel
FET Feature:-
Mô tả mở rộng:N-Channel 500V 2.5A (Tc) 35W (Tc) Through Hole I-Pak
Điện thế ổ đĩa (Max Rds On, Min Rds On):10V
Xả để nguồn điện áp (Vdss):500V
Sự miêu tả:MOSFET N-CH 500V 2.5A IPAK
Hiện tại - Drain liên tục (Id) @ 25 ° C:2.5A (Tc)
Email:[email protected]

Nhanh Tìm Quote

Số Phần
Số lượng
Công ty
E-mail
Điện thoại
Bình luận