Mua FQU4N50TU_WS với BYCHPS
Mua với đảm bảo
VGS (th) (Max) @ Id: | 5V @ 250µA |
---|---|
Vgs (Tối đa): | ±30V |
Công nghệ: | MOSFET (Metal Oxide) |
Gói thiết bị nhà cung cấp: | I-Pak |
Loạt: | QFET® |
Rds On (Max) @ Id, VGS: | 2.7 Ohm @ 1.3A, 10V |
Điện cực phân tán (Max): | 2.5W (Ta), 45W (Tc) |
Bao bì: | Tube |
Gói / Case: | TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA |
Nhiệt độ hoạt động: | -55°C ~ 150°C (TJ) |
gắn Loại: | Through Hole |
Mức độ nhạy ẩm (MSL): | 1 (Unlimited) |
Thời gian chuẩn của nhà sản xuất: | 6 Weeks |
Số phần của nhà sản xuất: | FQU4N50TU_WS |
Điện dung đầu vào (Ciss) (Max) @ Vds: | 460pF @ 25V |
Phím cổng (Qg) (Max) @ Vgs: | 13nC @ 10V |
Loại FET: | N-Channel |
FET Feature: | - |
Mô tả mở rộng: | N-Channel 500V 2.6A (Tc) 2.5W (Ta), 45W (Tc) Through Hole I-Pak |
Điện thế ổ đĩa (Max Rds On, Min Rds On): | 10V |
Xả để nguồn điện áp (Vdss): | 500V |
Sự miêu tả: | MOSFET N-CH 500V 2.6A IPAK |
Hiện tại - Drain liên tục (Id) @ 25 ° C: | 2.6A (Tc) |
Email: | [email protected] |