Mua G3SBA20L-E3/51 với BYCHPS
Mua với đảm bảo
G3SBA20L-E3/51
- Số Phần:
- G3SBA20L-E3/51
- nhà chế tạo:
- Vishay / Semiconductor - Diodes Division
- Sự miêu tả:
- DIODE GPP 1PH 4A 200V GBU
- Tình trạng Miễn phí Tình trạng / Tình trạng RoHS:
- Không có chì / tuân thủ RoHS
- Số lượng có sẵn:
- 19635 Pieces
- Bảng dữliệu:
- 1.G3SBA20L-E3/51.pdf2.G3SBA20L-E3/51.pdf
Giới thiệu
BYCHIPS là nhà phân phối cho G3SBA20L-E3/51, chúng tôi có các cổ phiếu cho vận chuyển ngay lập tức và cũng có sẵn để cung cấp thời gian dài. Vui lòng gửi cho chúng tôi gói mua hàng của bạn cho G3SBA20L-E3/51 qua email, chúng tôi sẽ cung cấp cho bạn một mức giá tốt nhất theo kế hoạch của bạn.
Thông số kỹ thuật
| Voltage - Đỉnh ngược (Max): | 200V |
|---|---|
| Voltage - Chuyển tiếp (VF) (Max) @ Nếu: | 1V @ 2A |
| Công nghệ: | Standard |
| Gói thiết bị nhà cung cấp: | GBU |
| Loạt: | - |
| Bao bì: | Bulk |
| Gói / Case: | 4-SIP, GBU |
| Vài cái tên khác: | G3SBA20L-E3/51-ND G3SBA20LE351 |
| Nhiệt độ hoạt động: | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| gắn Loại: | Through Hole |
| Mức độ nhạy ẩm (MSL): | 1 (Unlimited) |
| Số phần của nhà sản xuất: | G3SBA20L-E3/51 |
| Mô tả mở rộng: | Bridge Rectifier Single Phase 200V 2.3A Through Hole GBU |
| Loại diode: | Single Phase |
| Sự miêu tả: | DIODE GPP 1PH 4A 200V GBU |
| Hiện tại - Xếp Rò rỉ @ VR: | 5µA @ 200V |
| Hiện tại - Trung bình sửa chữa (Io): | 2.3A |
| Email: | [email protected] |
bộ phận liên quan cho G3SBA20L-E3/51
| hình ảnh | Số Phần | Nhà sản xuất của | Sự miêu tả | Lượt xem |
|---|---|---|---|---|
 |
G3SBA20-E3/51 | Vishay Semiconductor Diodes Division | DIODE GPP 1PH 4A 200V GBU | Tin nhắn của bạn |
 |
G3SBA20L-M3/45 | Vishay Semiconductor Diodes Division | DIODE 1PH 4A 200V | Tin nhắn của bạn |
|
G3SBA20-E3/45 | Vishay Semiconductor Diodes Division | DIODE GPP 1PH 4A 200V GBU | Tin nhắn của bạn |
|
G3SBA20L-M3/51 | Vishay Semiconductor Diodes Division | DIODE 1PH 4A 200V | Tin nhắn của bạn |
|
G3SBA60-M3/51 | Vishay Semiconductor Diodes Division | DIODE 1PH 4A 600V | Tin nhắn của bạn |
|
G3SBA20L-E3/45 | Vishay Semiconductor Diodes Division | DIODE GPP 1PH 4A 200V GBU | Tin nhắn của bạn |
|
G3SBA20-M3/45 | Vishay Semiconductor Diodes Division | DIODE 1PH 4A 200V | Tin nhắn của bạn |
|
G3SBA60-E3/51 | Vishay Semiconductor Diodes Division | DIODE GPP 1PH 4A 600V GBU | Tin nhắn của bạn |
|
G3SBA20-M3/51 | Vishay Semiconductor Diodes Division | DIODE 1PH 4A 200V | Tin nhắn của bạn |
Latest Tin tức
- Xilinx Ships Industry's First 16nm All Programmable MPSoC Ahead of Schedule
- Xilinx and Samsung Jointly Enable the World's First 5G NR Commercial Deployment
- TI's Peter Balyta to head Education Technology division; Melendy Lovett to retire
- Janet Clark to join TI board of directors
- TI unveils DLP® 0.66-inch 4K ultra-high definition (UHD) chip, enabling more affordable large screen projection displays for home, business and education
- GCHQ Director calls for international cyber pact
- Embedded World: Arm introduces fourth security element to PSA
- Last chance: Nominate BrightSparks before 28 February
- Embedded World 2019: Get the full Electronics Weekly Guide
- "Xcell Journal" Special Edition: Xilinx Customers Shape a Brilliant Future
- Xilinx Launches Public Access of the SDSoC Development Environment to Expand Zynq SoC User Base to Broad Community of Systems and Software Engineers
- Texas Instruments names Haviv Ilan senior vice president of High Performance Analog