GP1M003A080CH
Số Phần:
GP1M003A080CH
nhà chế tạo:
Global Power Technologies Group
Sự miêu tả:
MOSFET N-CH 800V 3A DPAK
Tình trạng Miễn phí Tình trạng / Tình trạng RoHS:
Không có chì / tuân thủ RoHS
Số lượng có sẵn:
18993 Pieces
Bảng dữliệu:
GP1M003A080CH.pdf

Giới thiệu

BYCHIPS là nhà phân phối cho GP1M003A080CH, chúng tôi có các cổ phiếu cho vận chuyển ngay lập tức và cũng có sẵn để cung cấp thời gian dài. Vui lòng gửi cho chúng tôi gói mua hàng của bạn cho GP1M003A080CH qua email, chúng tôi sẽ cung cấp cho bạn một mức giá tốt nhất theo kế hoạch của bạn.
Mua GP1M003A080CH với BYCHPS
Mua với đảm bảo

Thông số kỹ thuật

VGS (th) (Max) @ Id:4V @ 250µA
Công nghệ:MOSFET (Metal Oxide)
Gói thiết bị nhà cung cấp:TO-252, (D-Pak)
Loạt:-
Rds On (Max) @ Id, VGS:4.2 Ohm @ 1.5A, 10V
Điện cực phân tán (Max):94W (Tc)
Bao bì:Tape & Reel (TR)
Gói / Case:TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Vài cái tên khác:1560-1155-2
Nhiệt độ hoạt động:-55°C ~ 150°C (TJ)
gắn Loại:Surface Mount
Mức độ nhạy ẩm (MSL):1 (Unlimited)
Số phần của nhà sản xuất:GP1M003A080CH
Điện dung đầu vào (Ciss) (Max) @ Vds:696pF @ 25V
Phím cổng (Qg) (Max) @ Vgs:19nC @ 10V
Loại FET:N-Channel
FET Feature:-
Mô tả mở rộng:N-Channel 800V 3A (Tc) 94W (Tc) Surface Mount TO-252, (D-Pak)
Xả để nguồn điện áp (Vdss):800V
Sự miêu tả:MOSFET N-CH 800V 3A DPAK
Hiện tại - Drain liên tục (Id) @ 25 ° C:3A (Tc)
Email:[email protected]

Nhanh Tìm Quote

Số Phần
Số lượng
Công ty
E-mail
Điện thoại
Bình luận