GP1M010A080H
GP1M010A080H
Số Phần:
GP1M010A080H
nhà chế tạo:
Global Power Technologies Group
Sự miêu tả:
MOSFET N-CH 800V 9.5A TO220
Tình trạng Miễn phí Tình trạng / Tình trạng RoHS:
Không có chì / tuân thủ RoHS
Số lượng có sẵn:
14280 Pieces
Bảng dữliệu:
GP1M010A080H.pdf

Giới thiệu

BYCHIPS là nhà phân phối cho GP1M010A080H, chúng tôi có các cổ phiếu cho vận chuyển ngay lập tức và cũng có sẵn để cung cấp thời gian dài. Vui lòng gửi cho chúng tôi gói mua hàng của bạn cho GP1M010A080H qua email, chúng tôi sẽ cung cấp cho bạn một mức giá tốt nhất theo kế hoạch của bạn.
Mua GP1M010A080H với BYCHPS
Mua với đảm bảo

Thông số kỹ thuật

VGS (th) (Max) @ Id:4V @ 250µA
Công nghệ:MOSFET (Metal Oxide)
Gói thiết bị nhà cung cấp:TO-220
Loạt:-
Rds On (Max) @ Id, VGS:1.05 Ohm @ 4.75A, 10V
Điện cực phân tán (Max):290W (Tc)
Bao bì:Tube
Gói / Case:TO-220-3
Vài cái tên khác:1560-1177-1
1560-1177-1-ND
Nhiệt độ hoạt động:-55°C ~ 150°C (TJ)
gắn Loại:Through Hole
Mức độ nhạy ẩm (MSL):1 (Unlimited)
Số phần của nhà sản xuất:GP1M010A080H
Điện dung đầu vào (Ciss) (Max) @ Vds:2336pF @ 25V
Phím cổng (Qg) (Max) @ Vgs:53nC @ 10V
Loại FET:N-Channel
FET Feature:-
Mô tả mở rộng:N-Channel 800V 9.5A (Tc) 290W (Tc) Through Hole TO-220
Xả để nguồn điện áp (Vdss):800V
Sự miêu tả:MOSFET N-CH 800V 9.5A TO220
Hiện tại - Drain liên tục (Id) @ 25 ° C:9.5A (Tc)
Email:[email protected]

Nhanh Tìm Quote

Số Phần
Số lượng
Công ty
E-mail
Điện thoại
Bình luận