GP2M007A080F
GP2M007A080F
Số Phần:
GP2M007A080F
nhà chế tạo:
Global Power Technologies Group
Sự miêu tả:
MOSFET N-CH 800V 7A TO220F
Tình trạng Miễn phí Tình trạng / Tình trạng RoHS:
Không có chì / tuân thủ RoHS
Số lượng có sẵn:
18313 Pieces
Bảng dữliệu:
GP2M007A080F.pdf

Giới thiệu

BYCHIPS là nhà phân phối cho GP2M007A080F, chúng tôi có các cổ phiếu cho vận chuyển ngay lập tức và cũng có sẵn để cung cấp thời gian dài. Vui lòng gửi cho chúng tôi gói mua hàng của bạn cho GP2M007A080F qua email, chúng tôi sẽ cung cấp cho bạn một mức giá tốt nhất theo kế hoạch của bạn.
Mua GP2M007A080F với BYCHPS
Mua với đảm bảo

Thông số kỹ thuật

VGS (th) (Max) @ Id:4V @ 250µA
Công nghệ:MOSFET (Metal Oxide)
Gói thiết bị nhà cung cấp:TO-220F
Loạt:-
Rds On (Max) @ Id, VGS:1.9 Ohm @ 3.5A, 10V
Điện cực phân tán (Max):50W (Tc)
Bao bì:Tube
Gói / Case:TO-220-3 Full Pack
Vài cái tên khác:1560-1203-1
1560-1203-1-ND
Nhiệt độ hoạt động:-55°C ~ 150°C (TJ)
gắn Loại:Through Hole
Mức độ nhạy ẩm (MSL):1 (Unlimited)
Số phần của nhà sản xuất:GP2M007A080F
Điện dung đầu vào (Ciss) (Max) @ Vds:1410pF @ 25V
Phím cổng (Qg) (Max) @ Vgs:38nC @ 10V
Loại FET:N-Channel
FET Feature:-
Mô tả mở rộng:N-Channel 800V 7A (Tc) 50W (Tc) Through Hole TO-220F
Xả để nguồn điện áp (Vdss):800V
Sự miêu tả:MOSFET N-CH 800V 7A TO220F
Hiện tại - Drain liên tục (Id) @ 25 ° C:7A (Tc)
Email:[email protected]

Nhanh Tìm Quote

Số Phần
Số lượng
Công ty
E-mail
Điện thoại
Bình luận