GP2M023A050N
GP2M023A050N
Số Phần:
GP2M023A050N
nhà chế tạo:
Global Power Technologies Group
Sự miêu tả:
MOSFET N-CH 500V 23A TO3PN
Tình trạng Miễn phí Tình trạng / Tình trạng RoHS:
Không có chì / tuân thủ RoHS
Số lượng có sẵn:
12997 Pieces
Bảng dữliệu:
GP2M023A050N.pdf

Giới thiệu

BYCHIPS là nhà phân phối cho GP2M023A050N, chúng tôi có các cổ phiếu cho vận chuyển ngay lập tức và cũng có sẵn để cung cấp thời gian dài. Vui lòng gửi cho chúng tôi gói mua hàng của bạn cho GP2M023A050N qua email, chúng tôi sẽ cung cấp cho bạn một mức giá tốt nhất theo kế hoạch của bạn.
Mua GP2M023A050N với BYCHPS
Mua với đảm bảo

Thông số kỹ thuật

VGS (th) (Max) @ Id:5V @ 250µA
Công nghệ:MOSFET (Metal Oxide)
Gói thiết bị nhà cung cấp:TO-3PN
Loạt:-
Rds On (Max) @ Id, VGS:220 mOhm @ 11.5A, 10V
Điện cực phân tán (Max):347W (Tc)
Bao bì:Tape & Reel (TR)
Gói / Case:TO-3P-3, SC-65-3
Nhiệt độ hoạt động:-55°C ~ 150°C (TJ)
gắn Loại:Through Hole
Mức độ nhạy ẩm (MSL):1 (Unlimited)
Số phần của nhà sản xuất:GP2M023A050N
Điện dung đầu vào (Ciss) (Max) @ Vds:3270pF @ 25V
Phím cổng (Qg) (Max) @ Vgs:64nC @ 10V
Loại FET:N-Channel
FET Feature:-
Mô tả mở rộng:N-Channel 500V 23A (Tc) 347W (Tc) Through Hole TO-3PN
Xả để nguồn điện áp (Vdss):500V
Sự miêu tả:MOSFET N-CH 500V 23A TO3PN
Hiện tại - Drain liên tục (Id) @ 25 ° C:23A (Tc)
Email:[email protected]

Nhanh Tìm Quote

Số Phần
Số lượng
Công ty
E-mail
Điện thoại
Bình luận