Mua GSID100A120S5C1 với BYCHPS
Mua với đảm bảo
GSID100A120S5C1
- Số Phần:
- GSID100A120S5C1
- nhà chế tạo:
- Global Power Technologies Group
- Sự miêu tả:
- IGBT MODULE 1200V 170A
- Tình trạng Miễn phí Tình trạng / Tình trạng RoHS:
- Không có chì / tuân thủ RoHS
- Số lượng có sẵn:
- 16411 Pieces
- Bảng dữliệu:
- GSID100A120S5C1.pdf
Giới thiệu
BYCHIPS là nhà phân phối cho GSID100A120S5C1, chúng tôi có các cổ phiếu cho vận chuyển ngay lập tức và cũng có sẵn để cung cấp thời gian dài. Vui lòng gửi cho chúng tôi gói mua hàng của bạn cho GSID100A120S5C1 qua email, chúng tôi sẽ cung cấp cho bạn một mức giá tốt nhất theo kế hoạch của bạn.
Thông số kỹ thuật
| Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): | 1200V |
|---|---|
| VCE (trên) (Max) @ Vge, Ic: | 2.1V @ 15V, 100A |
| Gói thiết bị nhà cung cấp: | Module |
| Loạt: | - |
| Power - Max: | 650W |
| Gói / Case: | Module |
| Vài cái tên khác: | 1560-1229 |
| Nhiệt độ hoạt động: | -40°C ~ 150°C (TJ) |
| NTC Thermistor: | Yes |
| gắn Loại: | Chassis Mount |
| Mức độ nhạy ẩm (MSL): | 1 (Unlimited) |
| Thời gian chuẩn của nhà sản xuất: | 4 Weeks |
| Số phần của nhà sản xuất: | GSID100A120S5C1 |
| Input Điện dung (Cies) @ VCE: | 13.7nF @ 25V |
| Đầu vào: | Standard |
| Loại IGBT: | - |
| Mô tả mở rộng: | IGBT Module Three Phase Inverter 1200V 170A 650W Chassis Mount Module |
| Sự miêu tả: | IGBT MODULE 1200V 170A |
| Hiện tại - Collector Cutoff (Max): | 1mA |
| Hiện tại - Collector (Ic) (Max): | 170A |
| Cấu hình: | Three Phase Inverter |
| Email: | [email protected] |
bộ phận liên quan cho GSID100A120S5C1
| hình ảnh | Số Phần | Nhà sản xuất của | Sự miêu tả | Lượt xem |
|---|---|---|---|---|
 |
VIO160-12P1 | IXYS | MOD IGBT DIODE SGL 1200V ECOPAC2 | Tin nhắn của bạn |
 |
IXSN50N60BD3 | IXYS | IGBT 75A 600V SOT-227B | Tin nhắn của bạn |
 |
VS-GT50TP60N | Vishay Semiconductor Diodes Division | IGBT 600V 85A 208W INT-A-PAK | Tin nhắn của bạn |
 |
GSID150A120S5C1 | Global Power Technologies Group | IGBT MODULE 1200V 285A | Tin nhắn của bạn |
 |
APTGF30X60T3G | Microsemi Corporation | IGBT MODULE NPT 2PH BRIDGE SP3 | Tin nhắn của bạn |
|
VS-GB100TH120U | Vishay Semiconductor Diodes Division | IGBT 1200V 200A 1136W INT-A-PAK | Tin nhắn của bạn |
Latest Tin tức
- Xilinx Ships Industry's First 16nm All Programmable MPSoC Ahead of Schedule
- Xilinx and Samsung Jointly Enable the World's First 5G NR Commercial Deployment
- TI's Peter Balyta to head Education Technology division; Melendy Lovett to retire
- Janet Clark to join TI board of directors
- TI unveils DLP® 0.66-inch 4K ultra-high definition (UHD) chip, enabling more affordable large screen projection displays for home, business and education
- GCHQ Director calls for international cyber pact
- Embedded World: Arm introduces fourth security element to PSA
- Last chance: Nominate BrightSparks before 28 February
- Embedded World 2019: Get the full Electronics Weekly Guide
- "Xcell Journal" Special Edition: Xilinx Customers Shape a Brilliant Future
- Xilinx Launches Public Access of the SDSoC Development Environment to Expand Zynq SoC User Base to Broad Community of Systems and Software Engineers
- Texas Instruments names Haviv Ilan senior vice president of High Performance Analog