HAT2160H-EL-E
HAT2160H-EL-E
Số Phần:
HAT2160H-EL-E
nhà chế tạo:
Renesas Electronics America
Sự miêu tả:
MOSFET N-CH 20V 60A LFPAK
Tình trạng Miễn phí Tình trạng / Tình trạng RoHS:
Không có chì / tuân thủ RoHS
Số lượng có sẵn:
18146 Pieces
Bảng dữliệu:
HAT2160H-EL-E.pdf

Giới thiệu

BYCHIPS là nhà phân phối cho HAT2160H-EL-E, chúng tôi có các cổ phiếu cho vận chuyển ngay lập tức và cũng có sẵn để cung cấp thời gian dài. Vui lòng gửi cho chúng tôi gói mua hàng của bạn cho HAT2160H-EL-E qua email, chúng tôi sẽ cung cấp cho bạn một mức giá tốt nhất theo kế hoạch của bạn.
Mua HAT2160H-EL-E với BYCHPS
Mua với đảm bảo

Thông số kỹ thuật

VGS (th) (Max) @ Id:2.3V @ 1mA
Công nghệ:MOSFET (Metal Oxide)
Gói thiết bị nhà cung cấp:LFPAK
Loạt:-
Rds On (Max) @ Id, VGS:2.6 mOhm @ 30A, 10V
Điện cực phân tán (Max):30W (Tc)
Bao bì:Tape & Reel (TR)
Gói / Case:SC-100, SOT-669
Nhiệt độ hoạt động:150°C (TJ)
gắn Loại:Surface Mount
Mức độ nhạy ẩm (MSL):1 (Unlimited)
Thời gian chuẩn của nhà sản xuất:16 Weeks
Số phần của nhà sản xuất:HAT2160H-EL-E
Điện dung đầu vào (Ciss) (Max) @ Vds:7750pF @ 10V
Phím cổng (Qg) (Max) @ Vgs:54nC @ 4.5V
Loại FET:N-Channel
FET Feature:-
Mô tả mở rộng:N-Channel 20V 60A (Ta) 30W (Tc) Surface Mount LFPAK
Xả để nguồn điện áp (Vdss):20V
Sự miêu tả:MOSFET N-CH 20V 60A LFPAK
Hiện tại - Drain liên tục (Id) @ 25 ° C:60A (Ta)
Email:[email protected]

Nhanh Tìm Quote

Số Phần
Số lượng
Công ty
E-mail
Điện thoại
Bình luận