HGT1N30N60A4D - Fairchild/ON Semiconductor - Transitor - IGBTs - Các mô-đun HGT1N30N60A4D

HGT1N30N60A4D

Số Phần:: HGT1N30N60A4D

nhà chế tạo:: Fairchild/ON Semiconductor

Sự miêu tả:: IGBT SMPS N-CHAN 600V SOT-227

Tình trạng Miễn phí Tình trạng / Tình trạng RoHS:: Không có chì / tuân thủ RoHS

Số lượng có sẵn:: 15577 Pieces

Bảng dữliệu:: HGT1N30N60A4D.pdf

Tin nhắn của bạn

Giới thiệu

BYCHIPS là nhà phân phối cho HGT1N30N60A4D, chúng tôi có các cổ phiếu cho vận chuyển ngay lập tức và cũng có sẵn để cung cấp thời gian dài. Vui lòng gửi cho chúng tôi gói mua hàng của bạn cho HGT1N30N60A4D qua email, chúng tôi sẽ cung cấp cho bạn một mức giá tốt nhất theo kế hoạch của bạn.

Mua HGT1N30N60A4D với BYCHPS

Mua với đảm bảo

Thông số kỹ thuật

Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max):	600V
VCE (trên) (Max) @ Vge, Ic:	2.7V @ 15V, 30A
Gói thiết bị nhà cung cấp:	SOT-227
Loạt:	-
Power - Max:	255W
Gói / Case:	SOT-227-4, miniBLOC
Nhiệt độ hoạt động:	-55°C ~ 150°C (TJ)
NTC Thermistor:	No
gắn Loại:	Chassis Mount
Mức độ nhạy ẩm (MSL):	1 (Unlimited)
Số phần của nhà sản xuất:	HGT1N30N60A4D
Input Điện dung (Cies) @ VCE:	-
Đầu vào:	Standard
Loại IGBT:	-
Mô tả mở rộng:	IGBT Module Single 600V 96A 255W Chassis Mount SOT-227
Sự miêu tả:	IGBT SMPS N-CHAN 600V SOT-227
Hiện tại - Collector Cutoff (Max):	250µA
Hiện tại - Collector (Ic) (Max):	96A
Cấu hình:	Single
Email:	[email protected]

bộ phận liên quan cho HGT1N30N60A4D

Số Phần	Nhà sản xuất của	Sự miêu tả	Lượt xem
FMG1G75US60H	Fairchild/ON Semiconductor	IGBT MOLDING 600V 75A 7PM-GA	Tin nhắn của bạn
HGT1N40N60A4D	Fairchild/ON Semiconductor	IGBT SMPS N-CHAN 600V SOT-227	Tin nhắn của bạn
CM600HB-24A	Powerex Inc.	IGBT MOD SGL 1200V 600A A SER	Tin nhắn của bạn
VS-EMG050J60N	Vishay Semiconductor Diodes Division	IGBT 600V 88A 338W EMIPAK2	Tin nhắn của bạn
APTGT30X60T3G	Microsemi Corporation	IGBT MOD TRENCH 3PH BRIDGE SP3	Tin nhắn của bạn

Giới thiệu

Thông số kỹ thuật

Nhanh Tìm Quote

Latest Tin tức