HGT1S7N60A4DS
HGT1S7N60A4DS
Số Phần:
HGT1S7N60A4DS
nhà chế tạo:
Fairchild/ON Semiconductor
Sự miêu tả:
IGBT 600V 34A 125W TO263AB
Tình trạng Miễn phí Tình trạng / Tình trạng RoHS:
Không có chì / tuân thủ RoHS
Số lượng có sẵn:
17561 Pieces
Bảng dữliệu:
HGT1S7N60A4DS.pdf

Giới thiệu

BYCHIPS là nhà phân phối cho HGT1S7N60A4DS, chúng tôi có các cổ phiếu cho vận chuyển ngay lập tức và cũng có sẵn để cung cấp thời gian dài. Vui lòng gửi cho chúng tôi gói mua hàng của bạn cho HGT1S7N60A4DS qua email, chúng tôi sẽ cung cấp cho bạn một mức giá tốt nhất theo kế hoạch của bạn.
Mua HGT1S7N60A4DS với BYCHPS
Mua với đảm bảo

Thông số kỹ thuật

Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max):600V
VCE (trên) (Max) @ Vge, Ic:2.7V @ 15V, 7A
Điều kiện kiểm tra:390V, 7A, 25 Ohm, 15V
Td (bật / tắt) @ 25 ° C:11ns/100ns
chuyển đổi năng lượng:55µJ (on), 60µJ (off)
Gói thiết bị nhà cung cấp:TO-263AB
Loạt:-
Xếp Thời gian phục hồi (TRR):34ns
Power - Max:125W
Bao bì:Tube
Gói / Case:TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
Nhiệt độ hoạt động:-55°C ~ 150°C (TJ)
gắn Loại:Surface Mount
Mức độ nhạy ẩm (MSL):1 (Unlimited)
Số phần của nhà sản xuất:HGT1S7N60A4DS
Kiểu đầu vào:Standard
Loại IGBT:-
cổng phí:37nC
Mô tả mở rộng:IGBT 600V 34A 125W Surface Mount TO-263AB
Sự miêu tả:IGBT 600V 34A 125W TO263AB
Hiện tại - Collector xung (Icm):56A
Hiện tại - Collector (Ic) (Max):34A
Email:[email protected]

Nhanh Tìm Quote

Số Phần
Số lượng
Công ty
E-mail
Điện thoại
Bình luận