HN1A01FE-GR,LF
HN1A01FE-GR,LF
Số Phần:
HN1A01FE-GR,LF
nhà chế tạo:
Toshiba Semiconductor
Sự miêu tả:
TRANS 2PNP 50V 0.15A ES6
Tình trạng Miễn phí Tình trạng / Tình trạng RoHS:
Không có chì / tuân thủ RoHS
Số lượng có sẵn:
14459 Pieces
Bảng dữliệu:
HN1A01FE-GR,LF.pdf

Giới thiệu

BYCHIPS là nhà phân phối cho HN1A01FE-GR,LF, chúng tôi có các cổ phiếu cho vận chuyển ngay lập tức và cũng có sẵn để cung cấp thời gian dài. Vui lòng gửi cho chúng tôi gói mua hàng của bạn cho HN1A01FE-GR,LF qua email, chúng tôi sẽ cung cấp cho bạn một mức giá tốt nhất theo kế hoạch của bạn.
Mua HN1A01FE-GR,LF với BYCHPS
Mua với đảm bảo

Thông số kỹ thuật

Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max):50V
VCE Saturation (Max) @ Ib, Ic:300mV @ 10mA, 100mA
Loại bóng bán dẫn:2 PNP (Dual)
Gói thiết bị nhà cung cấp:ES6
Loạt:-
Power - Max:100mW
Bao bì:Tape & Reel (TR)
Gói / Case:SOT-563, SOT-666
Vài cái tên khác:HN1A01FE-GR(5L,F,T
HN1A01FE-GR(5LFTTR
HN1A01FE-GR(5LFTTR-ND
HN1A01FE-GR,LF(B
HN1A01FE-GR,LF(T
HN1A01FE-GRLF(BTR
HN1A01FE-GRLF(BTR-ND
HN1A01FE-GRLFTR
HN1A01FEGRLFTR
HN1A01FEGRLFTR-ND
Nhiệt độ hoạt động:150°C (TJ)
gắn Loại:Surface Mount
Mức độ nhạy ẩm (MSL):1 (Unlimited)
Thời gian chuẩn của nhà sản xuất:16 Weeks
Số phần của nhà sản xuất:HN1A01FE-GR,LF
Tần số - Transition:80MHz
Mô tả mở rộng:Bipolar (BJT) Transistor Array 2 PNP (Dual) 50V 150mA 80MHz 100mW Surface Mount ES6
Sự miêu tả:TRANS 2PNP 50V 0.15A ES6
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, VCE:200 @ 2mA, 6V
Hiện tại - Collector Cutoff (Max):100nA (ICBO)
Hiện tại - Collector (Ic) (Max):150mA
Email:[email protected]

Nhanh Tìm Quote

Số Phần
Số lượng
Công ty
E-mail
Điện thoại
Bình luận