HN1B04F(TE85L,F)
HN1B04F(TE85L,F)
Số Phần:
HN1B04F(TE85L,F)
nhà chế tạo:
Toshiba Semiconductor
Sự miêu tả:
TRANS NPN/PNP 30V 0.5A SM6
Tình trạng Miễn phí Tình trạng / Tình trạng RoHS:
Không có chì / tuân thủ RoHS
Số lượng có sẵn:
18649 Pieces
Bảng dữliệu:
HN1B04F(TE85L,F).pdf

Giới thiệu

BYCHIPS là nhà phân phối cho HN1B04F(TE85L,F), chúng tôi có các cổ phiếu cho vận chuyển ngay lập tức và cũng có sẵn để cung cấp thời gian dài. Vui lòng gửi cho chúng tôi gói mua hàng của bạn cho HN1B04F(TE85L,F) qua email, chúng tôi sẽ cung cấp cho bạn một mức giá tốt nhất theo kế hoạch của bạn.
Mua HN1B04F(TE85L,F) với BYCHPS
Mua với đảm bảo

Thông số kỹ thuật

Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max):30V
VCE Saturation (Max) @ Ib, Ic:250mV @ 10mA, 100mA
Loại bóng bán dẫn:NPN, PNP
Gói thiết bị nhà cung cấp:SM6
Loạt:-
Power - Max:300mW
Bao bì:Tape & Reel (TR)
Gói / Case:SC-74, SOT-457
Vài cái tên khác:HN1B04F (TE85L,F)
HN1B04F(TE85LF)TR
Nhiệt độ hoạt động:150°C (TJ)
gắn Loại:Surface Mount
Mức độ nhạy ẩm (MSL):1 (Unlimited)
Số phần của nhà sản xuất:HN1B04F(TE85L,F)
Tần số - Transition:200MHz
Mô tả mở rộng:Bipolar (BJT) Transistor Array NPN, PNP 30V 500mA 200MHz 300mW Surface Mount SM6
Sự miêu tả:TRANS NPN/PNP 30V 0.5A SM6
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, VCE:70 @ 100mA, 1V
Hiện tại - Collector Cutoff (Max):100nA (ICBO)
Hiện tại - Collector (Ic) (Max):500mA
Email:[email protected]

Nhanh Tìm Quote

Số Phần
Số lượng
Công ty
E-mail
Điện thoại
Bình luận