HN2A01FE-GR(TE85LF
HN2A01FE-GR(TE85LF
Số Phần:
HN2A01FE-GR(TE85LF
nhà chế tạo:
Toshiba Semiconductor
Sự miêu tả:
TRANS 2PNP 50V 0.15A ES6
Tình trạng Miễn phí Tình trạng / Tình trạng RoHS:
Không có chì / tuân thủ RoHS
Số lượng có sẵn:
15953 Pieces
Bảng dữliệu:
HN2A01FE-GR(TE85LF.pdf

Giới thiệu

BYCHIPS là nhà phân phối cho HN2A01FE-GR(TE85LF, chúng tôi có các cổ phiếu cho vận chuyển ngay lập tức và cũng có sẵn để cung cấp thời gian dài. Vui lòng gửi cho chúng tôi gói mua hàng của bạn cho HN2A01FE-GR(TE85LF qua email, chúng tôi sẽ cung cấp cho bạn một mức giá tốt nhất theo kế hoạch của bạn.
Mua HN2A01FE-GR(TE85LF với BYCHPS
Mua với đảm bảo

Thông số kỹ thuật

Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max):50V
VCE Saturation (Max) @ Ib, Ic:300mV @ 10mA, 100mA
Loại bóng bán dẫn:2 PNP (Dual)
Gói thiết bị nhà cung cấp:ES6
Loạt:-
Power - Max:100mW
Bao bì:Tape & Reel (TR)
Gói / Case:SOT-563, SOT-666
Vài cái tên khác:HN2A01FE-GR(TE85LFTR
Nhiệt độ hoạt động:150°C (TJ)
gắn Loại:Surface Mount
Mức độ nhạy ẩm (MSL):1 (Unlimited)
Số phần của nhà sản xuất:HN2A01FE-GR(TE85LF
Tần số - Transition:800MHz
Mô tả mở rộng:Bipolar (BJT) Transistor Array 2 PNP (Dual) 50V 150mA 800MHz 100mW Surface Mount ES6
Sự miêu tả:TRANS 2PNP 50V 0.15A ES6
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, VCE:200 @ 2mA, 6V
Hiện tại - Collector Cutoff (Max):100nA (ICBO)
Hiện tại - Collector (Ic) (Max):150mA
Email:[email protected]

Nhanh Tìm Quote

Số Phần
Số lượng
Công ty
E-mail
Điện thoại
Bình luận